全球首创三维闪存技术 对“中国芯”加速自主创新发展意义重大

长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪存提供更高的读写性能和更高的存储密度,同时缩短产品研发周期。传统三维闪存架构中,外围电路与存储单元共享芯片面积。

Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,让芯片加工从平面走向立体。即在一片晶圆上加工外围电路,在另一片晶圆上加工存储单元,两片晶圆各自完工后再进行接合。

目前世界上最快的三维闪存读写速度是1.4Gbps,采用Xtacking技术后这一数值有望提升到3.0Gbps,对闪存行业来讲将是颠覆性的。Xtacking技术在全球范围内是首创的,对“中国芯”加速自主创新发展意义重大。长江存储已成功将Xtacking技术应用于第二代三维闪存产品的研发中,预计2019年实现量产。

全球首创三维闪存技术 对“中国芯”加速自主创新发展意义重大


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