ROHM SiC MOSFET Gen3 Trench Design Family
——逆向分析报告
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罗姆（ROHM）650V和1200V碳化硅（SiC）MOSFET中的沟槽（Trench）技术
据麦姆斯咨询介绍，碳化硅（SiC）与目前主流的硅基功率半导体器件相比，切换损耗小、耐压性强、在高温下也能拥有优异的电子特性。因此，很多厂商生产碳化硅产品，例如Cree、Microsemi、Infineon、ROHM等。碳化硅器件市场前景看好，预计2017~2021年复合年增长率（CAGR）高达31%。由于汽车和工业应用的拓展，预计2023年碳化硅器件市场将超过15亿美元。
硅基IGBT和碳化硅MOSFET的切换损耗对比
ROHM是碳化硅MOSFET分立器件和模组领域第二大公司，提供650V~1700V范围内各种产品。在商业化碳化硅生产后仅七年时间，ROHM推出了沟槽式碳化硅MOSFET，成为全球第一家量产此类产品的厂商。
该产品系列基于ROHM专有的双沟槽设计，包括栅极沟槽和源极沟槽。这种设计相对于平面碳化硅器件，将导通电阻（Rdson）减小了近一半；并且相对于具有相同电压的硅基IGBT，电流密度增加了近五倍。
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）
ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
ROHM第三代碳化硅MOSFET拆解与逆向分析
本报告还对分立器件SCT3120AL进行生产成本剖析，并提供650V和1200V第三代技术及器件对比分析，以及第三代和第二代碳化硅MOSFET对比分析。
报告目录：
Introduction
• Executive Summary
• Reverse Costing Methodology
• Glossary
• SiC Power Device Market
Company Profile
• Rohm
• Portfolio
• Supply Chain
Physical analysis
• Summary of the Physical Analysis
• 650V MOSFET: SCT3120AL
- MOSFET die view and dimensions
- MOSFET delayering and main blocks
- MOSFET die process, cross-section and process characteristic
• 1200V MOSFET: BSM180D12P3C007
- MOSFET die view and dimensions
- MOSFET delayering and main blocks
- MOSFET die process, cross-section and process characteristic
Manufacturing Process
• MOSFET Die Front-End Process
• MOSFET Fabrication Unit
• Packaging Process and Fabrication Unit
Cost Analysis
• Summary of the Cost Analysis
• Yields Explanation and Hypotheses
• 650V MOSFETs : SCT3120AL
- MOSFET die front-end cost
- MOSFET die probe test, thinning and dicing
- MOSFET die wafer cost
- MOSFET die cost
- Assembled components cost
- Component cost
• 1200V MOSFETs : BSM180D12P3C007
- MOSFET die front-end cost, probe test, thinning and dicing, wafer cost and cost
Selling Price SCT3120AL
Comparison Between ROHM’s 3G SiC Trench 650V and 1200V MOSFETs
Comparison with Infineon’s Trench MOSFET design
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