谢龙
我是只问道芯，第二懂芯片行业的90后，累计投稿收入5000+，很荣幸和你分享我对这个问题的思考。
我认为这个问题需要分解成两个方面，一个是在芯片制造层面芯片内部互联，另一个是在封装层面芯片间的互联。
一、芯片制造层面互联方式选择
在集成电路早期，使用铝线作为连接线。但是随着晶体管逐渐变小，铝的电阻率较高的问题开始暴露。在铝导线上损耗太多，因此人们需要寻找电阻率更低的材料来作为导电材料。到了1997年，IBM提出使用铜作为连接线的方案。因为铜的电阻率更低，电流在上面流动损耗更小。
但是到了现在，工艺进入到10nm，铜线的问题又开始暴露出来。在现在的电路中，就在15层的布线层中，铜线绕的距离可以达到上万米。随着晶体管尺寸变小，这些导线也需要变得更细。有的布线层过于纤细，电流会对其造成冲击。铜在更小尺寸上，更容易遇到电迁移的问题。所谓电迁移是指当电流流过时，容易将金属原子都挤到旁边去，这样就容易造成导线断路的情况。这是铜材料的问题。
就在去年底，因特尔宣布其在10纳米工艺中，引入钴材料作为引线材料。在芯片的底层比较纤细的线路可以用钴材料来替代铜材料。虽然钴的电阻率高于铜，但是钴更不容易发生电迁移。因此这就是当前芯片内部互联的方式。
二、芯片间的互联
人们对于芯片封装要求更低成本、更快上市时间、更低损耗，造成封装形式多种多样。随着封装形式的丰富多彩，就带来如何选择的问题。
在芯片互联领域，这也是一项复杂的工作。目前可以选择的互联方式有：有机、硅、玻璃中介层（interposer），以及从多层布线去连接不同芯片的桥接（bridge），同时还有各种各样的扇出（fan-out）方法，可达到与中介层和bridge同样的高性能与低功耗。
首先介绍第一种互联有机中介层互联。三星、京瓷通过使用标准环氧树脂薄膜制造工艺的有机中介层。这里的关键是热膨胀系数是否相互匹配。
第二种硅中介层。这是最传统的一种方式。有人说有机中介层可以取代硅中介层。但是要考虑成本就是了。
还有玻璃中介层。因为玻璃的热膨胀系数和硅匹配，因此在高频应用时使用玻璃中介层。
关于桥接，这是一种低成本的连接方式。因特尔拥有嵌入式多芯片互联桥（EMIB）技术。
关于Fan-out，也有很多种技术选择:chip first、chip last、die up、die down。也有倒装芯片（flip-chip）、系统级封装（system-in-package）和衬底上的扇出（fan-out on substrate）。
芯片间的互联问题已经成为封装的核心问题，但这个问题目前还没有明确答案，未来仍然需要进一步确定。
综合来看，芯片内的互联在材料上的选择是个问题，而在芯片间的互联，在互联方式上的选择种类繁多，未来仍然需要探索。 如果你对于互联方式有补充或是评论，欢迎留言回复。
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