近日，功率半导体领域最顶级的学术年会——第三十届国际功率半导体器件与集成电路年会（IEEE ISPSD 2018）在美国芝加哥举行。电子科技大学陈星弼院士因对超结功率半导体器件的卓越贡献入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位入选名人堂的华人科学家。
大会主席Jhon Shen和顾问Mutsuhiro Mori共同为陈星弼院士颁奖
ISPSD是国际电气与电子工程师协会（IEEE）主办的不带地区色彩的高水平学术会议，是功率器件领域的顶级国际学术会议。该会每年举办一届，自1992年的第三届开始，轮流在日本（2007年为韩国）、美国（1999年为加拿大）和欧洲举办。自2015年起，中国成为该会的常任举办国之一。ISPSD首届名人堂入选者是由ISPSD委员会根据成立30年以来全球相关领域的科学家对功率半导体器件与功率集成电路做出的贡献进行评选。据悉，此次全球共有32位科学家入选。接下来就带你走进陈星弼院士，看看他和他的科研世界。
比起奖项，他更爱科学
陈星弼院士大约是在今年二月份，得知自己获奖一事的。对于获奖，陈星弼院士也没有感觉到多么高兴和激动，只是认为，科研的动力是对未知世界的好奇心，而不是生存、金钱和奖项。
发明专利在全世界范围内已被引用超过500次
令陈星弼院士感到骄傲的还有自己的发明——复合缓冲耐压结构（超结MOS器件）。
他说：“功率器件很重要，是因为可作为开关器件用在各类电源中。我们希望耐压很高，接通时电阻很小，但功率器件的实际情况是有限制的。有一个所谓的硅极限，相关理论是，器件作为开关在打开时的单位面积的导通电阻和它关断时的耐压有一个2.5次方的关系。比如，我们设计的器件是200V的耐压，有1Ohm的电阻，这是可以忍受的。但如果想要500V的耐压，那么同样器件面积下，导通时的电阻就会变成10Ohm，这个电阻就大了很多。我一直在做功率器件的研究，解决这一问题不完全是兴趣的驱动，而是职业的驱动。之前做过的一些工作只是'小闹小打'，能够降低一点电阻，但效果不明显。后来我做了很多终端技术的理论，从而启发了新的思想，做出新的器件结构。这样，导通电阻和耐压的关系不再是2.5次方，而是1.3次方。”
超结MOS器件做出来后，引起学术界和企业界很大反响。该发明的美国专利在全世界范围内已被引用超过500次。它的经济效益也非常明显，英飞凌、意法半导体、仙童、东芝等国外著名公司都投入生产。根据法国半导体领域的市场调查公司Yole Development结果显示，超结功率器件在2018年将达到10亿美元的年销售额并预测以10.3%的年复合增长率迅速增长。超结MOS器件的应用非常广泛，包括电脑电源、照明电源、液晶电视、光伏逆变器，以及医疗、电信、工业等多类电源都有它的“身影”。
对于未来发展，陈星弼院士信心满满
在被问到功率器件及功率集成电路发展前景时，陈星弼院士说：“集成电路为电子信息时代奠定了基础。就像造房子一样，网络、云等等都是重要的，但基石是微电子。小到家用电器，大到能源环境等国家战略都离不开集成电路。我认为第二次电子革命，狭义上讲，就是互联网+一切用电力的东西。
科研取得优异成绩，对于教学他也有一套
在被问到教学和科研的问题时，他说：“应该是培养人更重要。但是，如果你在科研方面没有自己的贡献，也很难培养出杰出的人才。教学和科研是矛盾统一的。”事实上，陈星弼院士每次上课也都做了充分的准备，写了厚厚的教案。授课之前，我就讲给夫人听，她帮我纠正发音，我们共同推敲每一个例子是否准确，琢磨每一句话最佳的表达方式。我把厚厚的书浓缩成几张小纸片，在心里滚瓜烂熟，就是要给学生奉上最好的课。
关于个人问题，他觉得解决问题比吃喝玩乐更有意思
作为老一辈科学家，陈星弼院士经历过山河破碎，他也有“科教兴国”的责任感。有人说他这样苦得很，还要去上班。而他则认为，吃喝玩乐才没意思，比如吃得越多，身体越糟糕。打麻将的高级玩法，他在十岁时就会了，但这些东西的趣味性是有限的，只有科学的趣味是无限的，在科学的路上，遇到困难、解决困难就是一种幸福。
不畏艰辛，奋斗在科研路上，铭记初心，肩负着时代重任。在电子科技大学像陈星弼院士这样的科学家还有很多，电子科技大学也将继续鼓励和培养这样基础知识厚、专业能力强、综合素质高、具有国际视野、社会责任感和健全人格的拔尖创新人才，为国家发展做出更大贡献。
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