不久前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟向不超过10名特定投资者非公开发行股票不超过64,224,315股（含本数），募集资金总额（含发行费用）不超过人民币432,402.36万元，用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。
兆易创新拟通过本项目，研发 1Xnm 级（19nm、17nm）工艺制程下的 DRAM 技术，设 计和开发 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片并实现产业化。
1、产品设计能力储备
公司自设立以来，一直坚持市场化方向，产品以客户为导向，紧紧围绕客户现在和 未来潜在需求定义并开发产品。经过多年在集成电路领域的深耕和发展，公司具备深刻 的市场理解能力、准确的市场前瞻性预判能力和领先的产品定义能力，能够充分地挖掘、 分析客户需求，并利用研发资源快速设计出满足客户对不同容量、不同规格、不同应用 的需求的产品。自 2008 年首款 NOR Flash 上线以来，公司基于客户的需求及对市场的 前瞻性预判，持续研发并上线了多种类的 NOR Flash 产品，并陆续推出
2、市场及销售能力储备
公司通过多年的市场建设，建立了完善的销售体系。通过直销和经销相结合的销售 模式，公司建立了覆盖全球的销售网络，与多家顶级半导体产业代理商、大型终端客户 保持了长期稳定的合作关系，终端客户覆盖消费电子、物联网、汽车及工业控制、网络 及通信、手机和计算机等领域，覆盖领域广泛。此外，公司也着力于在销售渠道的基础 上不断深化市场开发和售后服务工作，通过行业各类资源的合作关系，多渠道、多手段 地加大产品宣传和市场信息收集力度，进一步提升公司的销售服务能力和品牌影响力。公司在保持现有销售体系的同时，还将进一步加大市场拓展力度，不断壮大优化公司客 户资源、提升市场影响力。公司不断提升的市场及销售能力能够为本次募投项目提供市 场保障。
3、技术及研发能力储备
公司自成立以来高度重视并始终保持高水平研发投入，坚持技术创新，保证公司技 术产品的先进性，推出了具备技术、成本优势的全系列产品，并在存储芯片架构、设计、 接口、测试、系统等方面积累了大量的知识产权和研发经验，形成了较明显的核心技术 优势。截至 2019 年 9 月 30 日，公司及控股子公司共拥有和使用 508 项境内专利、21 项境外专利及 16 项集成电路布图设计。在 DRAM 技术及研发方面，公司已组建由数十 名资深工程师组成的核心研发团队，涵盖前端设计、后端产品测试与验证，该团队的核 心技术带头人员从事 DRAM 芯片行业平均超过二十年，具备较强的技术及研发实力。此外，公司在存储器领域的技术研发能力及拥有丰富经验的资深工程师团队也能够有效 地加速推进 DRAM 芯片的研发工作。公司在存储器领域的技术与研发能力是募投项目 成功实施的有力保障。
4、人员储备
公司作为国内领先的芯片设计公司，汇集和培养了一批在半导体存储器领域的优秀 人才，核心研发团队成员来自清华、北大、复旦、中科院等国内微电子领域顶尖院所， 4 全公司范围内，硕士及以上学历占比超过 60%；同时，公司也将不断借助全国高校人才 与产学研资源，形成更加完善的人才梯队，为自主研发存储芯片提供技术与经验的支持 及续航能力。此外，公司已组建 DRAM 项目团队，DRAM 项目现有管理团队毕业于美 国斯坦福、清华大学等知名高校，并具备在美国、中国台湾等存储器领域先进产业地区 和国际知名公司任职多年的背景，拥有先进的技术研发及产业化管理经营理念。半导体 领域顶尖的人才储备是募投项目成功实施的重要保障。
据披露，兆易创新拟通过本项目，设计和开发系列DRAM芯片，项目各阶段的实施时间及整体进度安排如下：
其中，兆易创新首款DRAM芯片产品定义，包括市场定位、产品规格设定及芯片设计工作，其中芯片设计包括仿真验证、逻辑整合、时序分析、功能验证、信号与频率布线、版图物理验证等，每个步骤都需要经过反复验证以确保设计的产品实现最优化的性能并能够满足兼容市场上所有系统平台的需求；定义首款芯片的生产制程，并将经过验证后的设计展开流片试样，经过反复测试、反复修改直到样片设计符合设计规范并通过系统验证，实施时间预计在2020年；对首款芯片试样片进行封装测试，后送至系统芯片商处进行功能性认证，认证完毕后送至客户进行系统级验证，包含功能测试、压力测试、烧机验证等，通过所有验证后完成客户验证，验证完成后进行小批量产，实施时间预计在2021年。