5G风潮下的SiP:晶圆制造融合封测,AiP+FO-WLP大有可为!

5G+IoT带动SiP需求,终端应用纷纷追捧

自2015年苹果发布的iWatch智能手表上应用了SiP封装技术后,SiP便被大众所熟知。而终端设备对于系统集成度的需求从来都在不断提高,随着摩尔定律趋于失效,SiP在单一封装内可以包含多个芯片,甚至将不同类型的器件和电路芯片叠加在一起构成完整系统的特性,使其成为了“后摩尔时代”的“新宠儿”。那么来到2020年,5G普及进程加速的同时,SiP封装有会有哪些新应用呢?

如果说刚刚过去的2019年是5G元年,那么在2020年,5G将会驶入真正的“快车道”,加快普及之路。2019年11月1日,我国正式启动5G商用。据统计,截至2019年12月底,全国已经开通12.6万个5G基站,在52座城市实现5G商用。与此同时,5G终端也已经投入商用,不过目前大多用户对于5G手机仍持观望态度。工信部部长苗圩在全国工业和信息化工作会议上表示,截至2019年12月21日,全国5G套餐的签约用户有87万个,预计到2020年底中国将部署超过40万个5G基站,力争实现全国所有地级市覆盖5G网络。

5G风潮下的SiP:晶圆制造融合封测,AiP+FO-WLP大有可为!


而对于5G终端而言,由于各国电信频谱分配并不一致,相比于已经高达30多个的4G频段,5G所采用的频段将会更多。频段增多导致的天线以及射频器件的增多,给5G手机等终端的体积带来了很大挑战。与此同时,伴随着5G的发展,在IoT领域对于无线连接IoT产品的重量与体积都提出了更高的要求。

在这样的需求之下,如何提升系统集成度就成为了产业链所关注的问题。事实上,提高系统集成度的方法有三种,分别是SoC、SiP和SoB。某企业封装技术专家杨俊告诉《华强电子》记者,目前提高系统集成度的这三种方法各有特点。SoC(系统级芯片)封装是将多种功能都集成都一块芯片上,其拥有最高的集成度,并且在性能、功耗、传输等方面都有着很大优势;但缺点也较为明显,SoC具有很高的技术门槛,同时开发周期长达50~60周,并受到摩尔定律的影响,未来的提升空间或会进一步缩小。SiP封装则是将多种芯片,包括CPU、DRAM等芯片集成到一个封装模块中,从而成为一个完整的系统。并且可以实现异构集成,开发周期24~29周,相比SoC只需一半的开发周期。SoB(板上芯片)封装是基于基板的封装,开发周期最短,只需12~15周,但生命周期较短,只有24~29周。


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“一般而言,对于生命周期较长的产品,SoC会作为产品的核心。如果对开发周期、产品体积、灵活性要求较高,生命周期要求低的产品,一般倾向使用SiP或者SoB。另一方面,因为SoB主要从基板方面进行改造封装,所以它的局限性也很大。”杨俊补充到。

毫无疑问,SiP封装随之受到终端厂商的追捧,应用领域也日渐广泛。歌尔股份有限公司SiP事业部副总经理沈霁在接受《华强电子》记者采访时表示:“SiP在智能手机、可穿戴设备、医疗电子设备等领域有重要的应用场景。苹果早在2016年发布的iPhone 7便装载了多达16个SiP,带动了手机终端设备对SiP的需求,这使得高端或者低端系列的设备都越来越采用SiP的技术;但从另一角度看,SiP技术本身并不会造成成本的上升,相对于传统封装,SiP可使PCB组装更简单,耗费在芯片封装上的成本大大降低,进而减少了整体BOM成本。”

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歌尔股份有限公司SiP事业部副总经理 沈霁

目前SiP相关产品应用广泛,涵盖应用于智能穿戴、无线耳机等领域内的小型化蓝牙模组、GPS模组、心率模组、组合传感器等通用模组产品,以及应用于TWS真无线智能耳机等领域内的多功能定制化SiP模组产品。围绕“器件系统化、系统器件化”的产品开发理念,沈霁表示已拥有从系统方案软硬件开发、封装设计与仿真到模组测试的整体服务能力,实现快速整合内部封装、测试资源,为客户提供一站式整体SiP解决方案。

可以看出,在5G和IoT发展的推动之下,SiP所具有的高集成、小尺寸、低成本、高性能、开发周期较短等特点,受到了越来越多终端厂商的追捧。终端对于小体积的需求随着5G的到来将会进一步增长,因此SiP厂商在这样的趋势之下,需要为终端厂商提供更全面的支持,加快产品进程,才有机会占领行业制高点。

5G时代SiP遭遇四大挑战,晶圆制造融合封测成趋势

 那么在5G和IoT的风潮下,对SiP封装的需求增长会带来哪些问题?沈霁指出,移动时代产品形态单一,主要是智能手机和平板电脑;而后移动时代智能硬件产品和应用百花齐放,如何延续摩尔定理是业内都在讨论的问题。系统级封装已广泛应用于智能手机,针对小型化轻薄化的ID要求,SiP的多模块集成方案满足了产品小型化轻薄化的ID需求,节省了空间,简化了组装工序。未来在5G和折叠屏的驱动下,终端产品内的SiP模块占比将继续提高,但在封测环节要对多芯片进行封测,因此给封测厂商能力带来了更多的难题和挑战。

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  进入5G时代,由于频段的增加,智能手机中射频器件数量将大幅提高,而这与智能手机轻薄化的趋势大相径庭。因此,SiP的异构集成特性,与射频前端器件完美契合,这也使得5G时代SiP封装在射频模组上的应用迅速普及。

  对于SiP对于5G射频前端的需求,沈霁表示:“随着5G的快速推广,手机射频前端模块的集成度越来越高,可穿戴设备的集成度也越来越高,SiP在5G射频前端模块的集成效果愈发明显,比如现在的智能手机一般需要8~16个SiP产品,未来可穿戴设备会将所有的功能都封装进一个SiP产品内,普通的一些封装或者组装的方式不能够达到这样高密的程度,所以采用SiP模块来缩小PCB电路板的空间是必要的选择。”

  同时,从技术层面来看,目前最大的挑战在于基板设计与装配技术等方面,基板的设计日趋复杂,基于小型化的一些实现,对于线路的整体布局、基板叠层以及信号干扰性等问题会更加明显。

  目前,使用SiP封装的射频前端模组,在单个封装中包含了超过10个裸片(滤波器、功率放大器、开关等)和部分将模组内器件连接起来的技术,如铜柱、倒装芯片、引线键合等等。而在如此高密度下,多个射频芯片的集成,会使EMI问题变得更加难以处理,这需要EMI屏蔽层来改善器件所受到的干扰;另一方面,在5G毫米波的需求之下,SiP的电磁仿真将会变得越来越重要,精确的3D EM(电磁)仿真在SiP产品中需求较大,但这对于大部分封装厂而言是一大难题。

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  芯禾科技工程副总裁代文亮博士表示,目前没有单一的电磁场求解技术可以解决今天所有的挑战。商业电磁场仿真工具也一直在创新中,目前可以提供电磁场仿真工具的企业有芯禾科技、NI、Mentor,以及Cadence等厂商。

  而除了EMI与仿真的问题外,SiP由于将不同的芯片集成到一块基板上,所以还需要对SiP模块进行SI/PI/EMI分析、热应力分析、LVS/DRC、可靠性分析(ESD),以及可制造性分析等等。

  面对EMI、基板设计、装配技术、EM 3D仿真这些难点,沈霁认为可以从封装技术、技术协同和产业融合三个方向去改进。首先,为了实现系统小型化的要求,需要从更先进3D封装的路线来考虑;其次,由于性能的不断提升,系统的电信号、结构、热、可制造性、可靠性需要总体的协同考虑,对团队提出了更高的要求,需要团队真正做到DFX(Design for X, X包括:制造,可靠性,测试等);最后,系统集成的不断提升,晶圆制造与封测已开始有逐渐融合的趋势,封测公司需要利用晶圆制造公司的先进制程工艺,来武装自己,适应行业变化趋势。

毫米波需求催生AiP,FO-WLP市场仍具前景

在移动通讯技术长久的发展历史上,毫米波因为其穿透性差以及信号衰减快等缺点一直不受待见。但随着人们对于信息传输速度的需求日益增长,在技术的进步下,毫米波其可靠性高、方向性强、延迟低、传输速率高等特点也被5G技术所利用。

5G风潮下的SiP:晶圆制造融合封测,AiP+FO-WLP大有可为!

日月光集团研发中心产品设计处处长王陈肇博士

另一方面,5G毫米波需求下,SiP封装设计同时也存在着许多挑战。日月光集团研发中心产品设计处处长王陈肇博士认为,目前毫米波SiP封装设计存在着六大挑战,包括有宽带高增益天线封装的设计、铜密度、低损耗互联与基板材料、制造过程高精度控制、散热以及低成本的基板与装配方案。首先,与2G/3G/4G移动网络相比,5G网络将在更高频段的C-Band(3.7-4.2GHz)和毫米波(24.25GHz-52.6GHz)上部署,而更高频率的信号就意味着更大的馈线损耗,传统4G手机射频前端的馈线损耗只有1dB不到,但是在毫米波频段线损在2-4dB。这也是在毫米波的应用中习惯将天线与射频前端等器件集成的原因,系统级封装技术能够使天线与各类射频元件在垂直层面上堆叠,大大缩短连接距离,也就减少了信号传输损耗。而为了与SiP封装区分开,将天线封装到射频模块中的技术也被称为天线封装(Antenna inPackage,AiP)。


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更多的元件被整合到单一封装模块中,必然会造成更大的散热、材料、成本等问题。针对AiP封装,王陈肇博士表示,为了解决高频信号传输损耗、降低成本和进一步减少厚度,目前一般在毫米波应用中使用的技术是扇出型晶圆级封装(FO-WLP)工艺。WLP晶圆级封装是以球栅阵列(BGA)技术为基础,直接对晶圆进行加工,在一块晶圆上同时对多个芯片进行封装测试,切割后即可直接贴装到基板上的一种封装方法。而WLP由于不需要中介层,不需要使用基板材料,并省略了打线等步骤,因此可以大幅降低成本。另一方面,FO-WLP最终在成品中是不存在封装基板的,因为其封装方式是从裸晶端点直接将电路拉线到重布线层(RDL),这可以降低成本,并使得封装厚度能够大大降低,提升I/O密度。同时,RDL层可以缩短电路互联的距离长度,这对于高频信号传输损耗的降低起到关键作用。

事实上,扇出型封装工艺早在2009年,英特尔就首先在手机基带芯片上使用到FO-WLP工艺,不过当时该技术并未能大规模普及。而这项技术的最大推动者,还是苹果。2016年苹果首次在iPhone7的A10处理器上采用了FO-WLP工艺,在此之后,设备商Veeco,封装测试供应商星科金朋、Amkor、日月光,晶圆代工厂Global Foundries等都加大了FO-WLP的产品、技术布局。

根据市场研究机构Yole Developpement的数据显示,2016-2017全球FO-WLP市场复合年增长率将近90%,2018达到了14亿美元的规模。据预测,随着5G的推进,全球FO-WLP市场规模有望在2022年超过23亿美元,2019-2022年间的复合年增长率将接近20%。

尽管,目前在国内的5G建设仍以sub-6频段为主,不过从目前公布的消息来看,中国移动已完成了5G毫米波关键技术验证,将计划在2020年实现5G毫米波商用部署。于此同时,在2019深圳国际电子展上,某国内天线模组厂商的技术人员也告诉记者,他们也已经有毫米波天线模组产品的样品,将会在2020年中正式将产品推出市场。因此,毫米波的需求大门在2020年正式打开,AiP与FO-WLP市场将会迎来新一轮增长。


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