三星電子今天宣佈，它已經成功出貨了基於極紫外（EUV）技術的業界首個10nm級（D1x）DDR4（雙倍速率4）DRAM模塊，並且已經開始批量生產DDR5存儲器。在2021年
三星通過EUV增強DDR4生產工藝，以提高產量，第一百萬單位出貨
基於新EUV的DRAM模塊已經完成了全球客戶評估，將為高端PC，移動，企業服務器和數據中心應用中使用的更先進的EUV工藝節點打開大門。
三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Lee Jung-bae Lee表示：“隨著基於EUV的新型DRAM的生產，我們正在展示我們對提供革命性的DRAM解決方案以支持我們的全球IT客戶的全部承諾。“這一重大進步強調了我們將如何通過及時開發高端工藝技術和麵向高端內存市場的下一代內存產品，繼續為全球IT創新做出貢獻。”
三星是首家在EUV DRAM生產中採用EUV的公司，以克服DRAM擴展方面的挑戰。EUV技術減少了多重圖案製作中的重複步驟，並提高了圖案製作的準確性，從而提高了性能，提高了產量，並縮短了開發時間。
預計明年將推出DDR5和LPDDR5
EUV將從其第四代10nm級（D1a）或高度先進的14nm級DRAM開始全面部署在三星的下一代DRAM中。三星預計明年將開始批量生產基於D1a的DDR5和LPDDR5，這將使12英寸D1x晶圓的生產效率提高一倍。
隨著明年DDR5 / LPDDR5市場的擴展，該公司將進一步加強與領先的IT客戶和半導體供應商在優化標準規格方面的合作，因為它將加速整個內存市場向DDR5 / LPDDR5的過渡。
為了更好地滿足對下一代優質DRAM不斷增長的需求，三星將在今年下半年開始在韓國平澤市建立第二條半導體生產線。
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