尽管当前英特尔和格罗方德在努力突破 14-nm FinFET 工艺，但并不是所有芯片都需要如此高的数字逻辑性能。有鉴于此，格罗方德这样的纯晶圆代工厂，提供了一系列的工艺技术来满足客户的设计需求。
近日，该公司宣布其 22FDX（22 纳米全耗尽绝缘硅片）工艺已经在超过 50 款产品上使用，客户设计营收也突破了 20 亿美元的大关。
据悉，22FDX可提供近似于FinFET 的性能和能效表现、同时成本与 28-nm 平面技术相当。
格罗方德称，该工艺非常适合在同一模具上集成逻辑和射频组件。此外，22FDX 晶体管可通过软件，在性能与功耗间灵活地管理与权衡。
22FDX 同样基于绝缘体上硅（SOI）工艺，而不是通过大量的硅来提高其性能和功耗特性，满足为目标客户提供应用范围内的需求。
有鉴于此，22FDX 在物联网设备的语音/多媒体处理芯片业务上取得的设计胜利，也就不足为奇了。
格罗方德指出，其客户包括 SoC 设计公司瑞芯微（Rockchip）、物联网蜂窝连接提供商 Riot Micro、驾驶辅助系统提供商 Dream Chip、定制无线与人工智能供应商 SingularityAIX 等。
即便如此，22FDX 仍只是相关制程家族的其中一员，因为格罗方德早就在准备名叫 12FDX的下一代 SOI 技术了。
其表示，与 22FDX 相比，12FDX 可根据客户的需求（设计目标），大小规模和功耗性能都更优。
在性能提升 15%、功耗降低 50% 的同时，还可保持异构 IP、宽操作电压、以及柔性晶体管偏置。
最终，随着物联网的持续增长、以及英特尔 22FEL 等竞争技术的迭代，低功耗与集成异构 SoC 会成为该领域的下一个热点。
[编译自：TechReport, 来源：Global Foundries]
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