3D NAND是允許在空間有限的硬件中實現更大存儲密度的最重要的新技術之一。由於我們已經擺脫了通常的2D NAND，領先的3D解決方案，它們將存儲器層疊在一起（利用垂直空間而不是更昂貴的水平空間），每GB的存儲器密度和價格一直在穩步下降，這種關係並不完全儘可能同步，但仍然會發生。
應用材料公司的Sean Kang在日本國際記憶研討會（IMW）上發言時表示，他預計到2021年，未來的3D NAND技術將達到140層（從當今領先的64層技術開始）。增加的層數將允許增加芯片密度同時保持相同的PCB不動產和實施區域; 同時，這是行業渴望的，因為數據集的規模只會繼續增加。
在2021年之前及其140層NAND將來臨之前（這將需要新的製造材料）。預計今年將推出90層解決方案，層高降低20％，從當前的60 nm降至55 nm，這是允許的相對穩定的堆疊高度，即使層數顯著增加（與64層技術相比約為40％），但它將會更加便宜。
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