3D NAND是允许在空间有限的硬件中实现更大存储密度的最重要的新技术之一。由于我们已经摆脱了通常的2D NAND，领先的3D解决方案，它们将存储器层叠在一起（利用垂直空间而不是更昂贵的水平空间），每GB的存储器密度和价格一直在稳步下降，这种关系并不完全尽可能同步，但仍然会发生。
应用材料公司的Sean Kang在日本国际记忆研讨会（IMW）上发言时表示，他预计到2021年，未来的3D NAND技术将达到140层（从当今领先的64层技术开始）。增加的层数将允许增加芯片密度同时保持相同的PCB不动产和实施区域; 同时，这是行业渴望的，因为数据集的规模只会继续增加。
在2021年之前及其140层NAND将来临之前（这将需要新的制造材料）。预计今年将推出90层解决方案，层高降低20％，从当前的60 nm降至55 nm，这是允许的相对稳定的堆叠高度，即使层数显著增加（与64层技术相比约为40％），但它将会更加便宜。
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