因為英特爾14納米x86CPU芯片產能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機銷售不佳，加上3D NAND轉到96層及DRAM轉到19納米以下製程工藝的產能增加，等等因素疊加造成明年內存DRAM和閃存NAND預計將會有3－5％的供過於求，價格下行趨勢確立，而將造成2019年整體存儲器芯片產業同比衰退5－9％及全球半導體產業同比衰退1－4％。但此次下行趨勢預計不超過18個月。
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這次下行趨勢有多糟？
英特爾14納米x86 CPU 短缺狀況應會於明年中之前改善，10納米x86 CPU應於明年下半年量產，AMD 7納米x86 CPU， 7納米挖礦機及智能手機，5G手機等都將於明年出籠取代中低階機種及對存儲器半導體產生正面影響。因此我們預估大多數的內閃存存儲器半導體公司會面對營業利潤率從近50％的高檔下滑，但卻不至於步入虧損。
對中國產業的影響？
雖然主流DRAM和3D NAND的下跌對NOR，SLC （Single－Level Cell， 單層單元閃存） NAND都會造成不良的影響，但只要這次下行趨勢不超過18個月，主流存儲器芯片大廠不步入虧損，預期主流存儲器廠商不會將大量產能轉入利基型NOR和SLC NAND閃存市場而造成其價格崩跌。
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