存儲芯片是未來物聯網、大數據、雲計算等新興領域不可或缺的關鍵元件，因此存儲芯片的自主可控對我國新一輪信息化進程的推進具有十分重要的戰略意義。《國家集成電路產業產業發展推進綱要》、“製造2025”等系列政策的落實和大基金為首資本的大力投入，為國內存儲器產業加速發展打下了良好的基礎。
據WSTS統計，我國半導體市場呈現快速增長趨勢，半導體市場規模增速高於全球市場：2019年全球半導體市場規模為4,065.9億美元，我國半導體市場規模約為1,400億美元，佔比超34%。
存儲芯片是半導體市場最主要的細分領域。服務器數據存儲需求隨著技術進步而擴大，對應存儲芯片市場穩定增加。根據WSTS數據，至2023年，全球存儲芯片市場有望達到11.2千億，2019-2023年複合增速分別為5%。中國存儲芯片市場為6.49千億，2019-2023年複合增速分別為6%，中國佔全球份額近60%。
中國作為全球電子產品的製造基地，長期以來都是存儲器產品最大的需求市場，但是國內存儲芯片的自制率較低，國產替代的空間十分廣闊。
獲取更多行業研究報告，請至樂晴智庫網站：www.767stock.com
存儲芯片，又稱為存儲器，是指利用電能方式存儲信息的半導體介質設備，其存儲與讀取過程體現為電子的存儲或釋放，廣泛應用於內存、U盤、消費電子、智能終端、固態存儲硬盤等領域，是應用面最廣、市場比例最高的集成電路基礎性產品之一。
存儲芯片技術主要集中於企業級存儲系統的應用，為訪問性能、存儲協議、管理平臺、存儲介質，以及多種應用提供高質量的支持。隨著數據的快速增長，數據對業務重要性的日益提升，數據存儲市場快速演變。
存儲芯片主要分為閃存和內存，閃存包括NAND FLASH和NORFLASH，內存主要為DRAM。NOR、DRAM和NAND市場規模分別為26、830和610億美元。當下最主流的存儲器是DRAM以及NAND，這兩者佔據了所有半導體存儲器規模的95%左右。
其中，DRAM屬易失性存儲器：在外部電源切斷後，存儲器內的數據也隨之消失，主要用於各類PC、服務器、工作站、智能手機的內部存儲單元；Flash屬於非易失性存儲器：能夠保持所存儲的內容，主要應用於存儲卡、U盤、SSD固態硬盤、移動終端的內部嵌入式存儲器等。
同為閃存的NAND FLASH的NOR FLASH的區別主要在於應用領域不同，NAND FLASH主要應用於智能手機、SSD、SD卡等高端大容量產品，而NOR FLASH主要應用於功能機、MP3、USBKEY、DVD等低端產品。此外，在汽車電子、智能機手機中TDDI、AMOLED中也會用到NOR FLASH。
存儲芯片產業技術含量高、規模效應明顯，全球DRAM和NAND市場均表現出明顯的壟斷格局。
全球DRAM產業由韓國三星、韓國海力士及美國美光等前三大廠商形成寡頭市場，合計佔據95%的市場份額。
三星、海力士和美光三家企業均擁有自己的DRAM內存芯片工廠，並擁有自己的工藝。而對於很多中小型DRAM企業，沒有工廠，很難保證產品良率和性價比。國內近年來也有很多企業建廠，但都是小批量，很難保證大產能的DRAM芯片的良率。
DRAM技術的投入太大導致很多企業無法承受，動輒幾百億。據悉，三星曾投資近百億美金加大研發最新的DRAM技術。而國內的合肥長鑫與兆易創新聯合投入百億研發技術，這也讓很多企業望而卻步。
在DRAM的終端應用上，從過去主要集中在PC相關應用，擴充為目前多元化的應用，其中智能手機為最大應用市場區塊，而服務器/數據中心因為雲端應用的高成長，成為成長最快速的區塊。
NAND Flash顆粒原廠中，主要的廠家為三星、鎧俠、西數、美光等。與DRAM市場格局一樣，三星同樣處於領先地位，市佔率為34%，但NAND Flash市場集中度稍微低於DRAM市場。鎧俠與西數的合資工廠產能共用，若將其收入合併計算，其市佔率與三星伯仲相當。
國產廠商規模最大的當屬長江存儲。公司日前宣佈，最新128層QLC 3D NAND閃存研發成功，這也是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過多家知名控制器企業在固態硬盤等終端存儲產品上的驗證。
NOR存儲芯片行業同樣高度壟斷，全球前五大巨頭壟斷了近50%的市場。根據CINNO Research 2019年第二季度數據，華邦（23.4%）、旺宏（23.2%）、Cypress（18.3%）、兆易創新在NORFlash領域全球佔比（13.9%）超越美光（10.9%）站上第四名的位置，創下中國存儲產業的新里程碑。
當前我國正處在由低端製造業轉向高尖端工業化的進程中，產業轉型迫在眉睫，存儲芯片在推動國家信息化上承擔著關鍵作用。因此，扶持本土存儲器廠商發展壯大，發展國產存儲芯片迫在眉睫。隨著5G應用啟動及人工智慧應用發展，自駕車、邊緣運算及新興多元應用將為存儲芯片產業持續增長帶來廣闊空間。
閱讀更多 樂晴智庫 的文章
