根据起诉书三星欠下KAIST IP US（韩国科学与技术高级研究院，Korea Advanced Institute of Science and Technology）的金额为4亿美元的专利许可费。由于陪审团裁定三星蓄意侵犯专利权，法官可以选择施加“三重赔偿”，这将使该惩罚的美元金额增加两倍至12亿美元。另外除了三星公司外，高通公司和GlobalFoundries公司也被发现侵犯了同一专利。然而，这这两家公司却设法逃脱惩罚，没有被责令支付赔偿金。
三星的FinFET芯片工艺发展路标
FinFET是一种用于设计处理器的晶体管技术，其所使用栅极形状如翅片（Fins），因此而得名。该技术允许在单个晶体管上开启多个栅极门（Gate）电路，从而在更小的芯片上实现更高的性能和更低的能耗。
FinFET芯片的架构
三星近期面临多起专利诉讼
（完）
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