來源：內容由半導體行業觀察（ID：icbank）翻譯自「semiwiki」，謝謝。
在2018年末，三星和臺積電推出了具有5至7個EUV層的7nm晶圓代工邏輯工藝，兩家公司在整個2019年也都加快了這些工藝的生產，現在正在大量生產中。進入今年，三星和臺積電都在加快具有12至14個EUV層的5nm晶圓代工邏輯工藝的進度，而英特爾正在研究明年有望基於EUV的7nm工藝。英特爾的7納米制程密度應與三星和臺積電的5納米制程相當。
三星還於2019年末推出了其1z DRAM工藝，該工藝最初是光學的，但隨後過渡到單個EUV層。2020年3月下旬，三星宣佈已出貨100萬個基於EUV的DRAM模塊。三星的下一代DRAM工藝，即所謂的1c代DRAM有望具有4個EUV層。
顯然，EUV已被公認為是領先邏輯和DRAM生產關鍵層的最佳解決方案。
而在今年的SPIE高級光刻會議，ASML的Mike Lercel展示了公司EUV的四個方面：
1、當前的生產是使用0.33NA系統完成的，ASML給出了這些系統的當前狀態和路線圖。
2、EUV源是系統的關鍵組成部分，並描述了新的改進源的詳細信息。
3、生產0.5NA系統以提高分辨率和生產率的工作狀況。
4、ASML收購了HMI，並將繼續開發其多光束– Ebeam晶圓檢測技術。
0.33NA系統
關於這方面，ASML的總結如下圖所示：
截至2019年底，ASML已交付了53套系統，並且在該領域已曝光超過1000萬片晶圓。圖2展示了按季度分列的發貨系統和曝光的晶圓。
圖2
圖2的一個特別令人印象深刻的方面是背景照片，該照片顯示了在未公開客戶現場安裝的成排的EUV系統。
該領域的當前系統是NXE：3400B，該系統現在已經證明一週平均每天> 1,900 wpd，最好的一天超過2,700 wpd。
圖3說明，平均可用性現在已達到85％，而系統的前10％則為90％。90％一直是3400B系統的目標，ASML繼續努力將3400B系統的可用性提高到90％左右。
圖3
ASML現在已經開始交付下一代系統NXE：3400C。
NXE：3400C具有改進的光學性能和機械吞吐量，與3500B相比，新機器在在20mJ/cm²下可獲得每小時160片晶圓（wph）的效率，在30mJ/cm2下則能獲得135 wph的效率，那就意味著吞吐量提高了約20％。
在3400B，設備的指定為20mJ/cm²用於生產量，而30mJ/cm²則是因為需要隨著特徵尺寸的縮小而增加。作者注意到，我相信即使對於7nm晶圓代工邏輯，目前的數字仍高於30mJ/cm²。
3600C對系統進行了幾處改進，以提高可用性。據相關數字透露，他們的目標是將其可用性提高到95％，這將與DUV系統所達到的可用性相同。這些改進將在源代碼的論文中進一步討論。
ASML預計在2021年中期以30mJ/cm²交付具有160 wph吞吐量的NXE：3600D，並且更長期地計劃推出以30mJ/cm²達到220wph的系統。吞吐量不斷提高的關鍵是更高的光源功率（請參見EUV光源部分）和更快的機械處理。
在不斷提高dose準確性，覆蓋（overlay），CD均勻性（uniformity ）和聚焦均勻性（uniformity ）的同時，實現了這些吞吐率的提高。
EUV光源
3400B系統上最大的可用性損失原因是液滴產生器和收集器反射鏡，見圖5。
圖5
3400C系統通過自動重新裝錫發生器，快速更換墨滴噴嘴（droplet nozzle）和方便檢修門以快速更換收集器鏡（mirror swaps）來解決這些問題。
聚光鏡的壽命也在不斷提高，而功率也在增加。
這些改進的最終結果是在現場將3400C系統的正常運行時間目標定為95％。
為了實現吞吐量的不斷提高，ASML將繼續提高電源功率。圖8說明了電源功率的趨勢。請注意，從研究到大批量生產的時間大約為2年，因此我們可能會在2022年左右看到500瓦的電源（目前的電源大約為250瓦）。
0.5NA系統
曝光系統的分辨率與NA成反比。隨著關鍵尺寸的縮小，0.33NA EUV系統將需要multi-patterning才能印刷出最小的特徵。高NA系統的目標是使0.33NA系統的覆蓋率和生產率匹配，同時使單程光刻技術擴展到更小的特徵。
0.5NA系統的光學系統是變形（anamorphic）的，即在一個方向上的放大倍數為4x，在正交方向上的放大倍數為8y。這導致場大小是具有相同標線片大小的4x/4y系統的場大小的1/2。為了實現高生產率目標，掩模臺的加速度是0.33NA系統的4倍，晶圓臺的加速度是0.33NA系統的2倍。
快速階段中傳輸的改進導致在相同吞吐量下，0.55NA系統比0.33NA系統的吞吐量有所提高。這裡應該注意，為0.55NA系統開發的一些高速sateg技術正在0.33NA系統上實現，以進一步提高這些系統的吞吐量。
目前，ASML正在實現晶圓和掩模臺加速並最終確定架構。這與0.33NA系統的主要區別在於新的光學系統和更快的stage，儘管更快的stage技術再次用於0.33NA系統。
0.55NA系統還需要更好的對準和水平度。ASML當前正在測試特定配置，以確定高加速度下的顆粒生成，並開始收集一些第一批傳感器數據。
ASML還在世界各地的各種設施中構建0.55NA系統的基礎架構。
1、康涅狄格州的ASML Wilton負責標線階段。
2、系統將在荷蘭Veldhoven的ASML總部組裝。
3、德國Oberkochen的Ziess負責光學制造。
4、光源是加利福尼亞聖地亞哥的ASML負責。
目前公司有4個系統在訂購中，預計將在2022/2023年的時間範圍內可用。
多光束EBeam
ASML收購了HMI，並繼續追求HMI多光束EBeam曝光技術。電子束檢查具有很高的分辨率，但檢查0.1％的芯片大約需要2個小時，非常緩慢。
多光束方法利用3x3陣列中的9個光束同時掃描。圖11說明了基本工具概念。
現在，ASML已證明光束之間的串擾小於2％，並且他們正在利用DUV曝光工具中的stage技術來提高多光束系統的通量。他們的目標是將吞吐量提高5-6倍，並且長期使用25光束系統。
毫無疑問，EUV現在是用於領先工藝的關鍵光刻的首選解決方案。ASML繼續展示當前的0.33NA生成系統和下一代0.55NA系統的開發進展。
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