大部分人只是覺的中國不掌握光刻機的技術，或者是物鏡，激光，掩膜，光刻膠等零部件不行，從而無法實現7nm，5nm光刻機制造。
EUV極紫外線高達100000個零部件，十多個子系統，以及各種精密的零部件設備。
DUV光刻機結構
想製造一臺這個設備，並不容易！
儘管光刻機的零部件現在都已經有國產化解決方案。上海微電子已經實現了22nm的技術攻關，預計在2021年可以交付28nm光刻機的應用。但是28nm光刻技術，尼康，佳能，ASML在2004年左右就實現了193nm激光在28nm製程工藝上面的突破。
如果按照光刻機光源不同來分類的話，上海微電子現在生產還是上一代的DUV光刻機使用的193nm ArF通過浸入式和多層套模實現的光刻技術。
這個跟下一代的EUV有比較大的不同，這相當於原理不一樣的兩樣東西。類似於燃油車和電動車，原理類似，但實現方式差距較大。
光刻機發展史（1978-1999）
光刻機發展史（2000-2016）
從宏觀上面來講，國內在使用13.5nm紫外線進行光刻的光刻機研發上面，或許才剛剛起步。因此國內所有在用產品，也都是上一代的DUV產品。
這個情況或將在舉國之力攻克芯片困境中，在5-10年得到較大改善。
這並非不樂觀，而是精密領域，是一個不斷積累經驗，每一次故障都是進步的過程。
試想一下，作為完全非標的EUV光刻機，到目前累計就生產了不到100臺。他怎麼可能沒有大量的問題？
ASML在香港，臺灣，無錫都有專門售後服務公司，就是專門用來處理應用故障。
ASML無錫售後服務公司
光刻機的性能評估在四個點上面：
1、CD Line width（線寬）
所謂的線寬，就是我們所說的14nm，7nm，5nm，3nm這個線寬的加工工藝。線寬約小，單位面積可以承載的電路就更多，運算能力就能夠倍增。
目前國內中芯國際實現的是7nm製程工藝的初步量產。預計大規模量產，且工藝熟練需要到2020年下半年。
但是在臺積電，三星在7nm，5nm製程工藝上面，已經較為成熟。
目前來看，大部分都在聚焦線寬，這個可以用數量級表示出光刻機優秀與否的參數。
實時上線寬屬於光刻機的第一道門檻，下面的幾個門檻或許才是真正在使用中出現故障，甚至能夠穩定生產的主要原因。
目前臺積電已經接收了華為7億美元的5nm製程的芯片訂單，開足馬力希望滿足華為的需求。
2、Overlay（套刻精度）
一個芯片，需要經過多次重複套刻才能完成。形成的電路，是多層的電路，不是單獨的一層電路。因此，套刻精度直接影響的良品率。
這個參數以及對應工藝，說起來過於複雜了，如果真的要滿足你可以看得懂的話。
那就是：刻第一層，和刻第二層要穩穩的沒有任何偏差。
硅晶圓表面
3、Field size（場尺寸）
所謂的場尺寸是，光刻機一次成像(shot)所覆蓋的區域。例如掃描式光刻機的最大曝光場的尺寸為26X32mm2、步進式光刻機的最大曝光場的尺寸為22 X 22mm2 或 18.5 X 25mm2。這個場尺寸的大小，直接晶圓加工的速度。
簡易光刻演示
最後所有參數歸總到一起，就是光刻機的生產率。
光刻機自開動那一刻起，只要不壞，最好是一直生產，因為按照產出的經濟量計算，光刻機比印鈔機要更賺錢，並且他生產的全球硬通貨幣。
我們以EVU級紫外線光刻機，達到每小時量產125片12寸晶圓。這數量換算出來就是28.8秒就可以完成一個12寸晶圓的加工。越是精密的產品，良品率要求越高。
晶圓的應用有多廣泛？
每年各類芯片都要用到晶圓，大到超級計算機，小到一個藍牙耳機，身邊的各類產品都在用。每年中國進口芯片的金額達到2000億美元以上。這不是電腦，手機的使用。是身邊所有電子產品的使用都需要芯片。
2008-2016年，中國芯片進口金額
從2008年開始到2016年，中國芯片進口額已經超過了1000億美元。整個集成電路進口額達到2270億美元。
每年有約千億片芯片應用於各個行業，不同產品中，傳感器，攝像頭，電動機，汽車，溫度計等等。
可說只要是電子產品，除非是上世紀的晶體管控制的產品，基本上都有芯片。只是有的是低端的模擬芯片，有的是存儲芯片，有的是邏輯電路，還有FPGA等等。
美國如果完全掐斷了中國芯片供應，對我們會有什麼影響？
相當於在奔跑中一個踉蹌，還不至於摔倒。畢竟國內芯片及半導體這些年發展起來，基本上還是有一定的抗擊打能力的。
以中國當前的產業結構來說，光刻機市場10年左右的差距還是有的，畢竟從原理上面將，ASML已經為我們驗證了13.5nm是可行的。這個可行足以縮短10年的驗證和迷茫期。
