光刻機無疑是目前掣肘我國芯片產業的重要設備，制約了我國芯片生產環節的發展。想要製造更高精度製程芯片，離不開高精度光刻機。
近日有報道稱，為推動EUV相關工藝製程進展，臺積電到2021年底時，將累計擁有55臺EUV光刻機。
可見高端光刻機的重要性。與即將坐擁55臺EUV光刻機的臺積電不同，身為中國大陸第一代工巨頭的中芯國際，卻遲遲等不到一臺ASML光刻機。
在2018年，中芯國際便向ASML訂下一臺光刻機。然而，2018年、2019年ASML EUV光刻機總銷量分別為18臺與26臺，卻遲遲不給中芯國際發貨。
不過，在沒有高精度光刻機的情況下，中芯國際並沒有放棄對更高製程工藝的追求。如今，中芯國際成功打破瓶頸，其第二代FinFET N+1工藝更是取得了進一步突破。
據悉，第二代FinFET N+1與臺積電8nm工藝相當，與上代相比，面積與功耗分別縮減63%與7%，並且性能大增20%。
中芯國際官方已經表示，第二代FinFET N+1目前在客戶導入階段，並有望於2020年末進行小批量試產。也就說，明年中芯國際8nm芯片有望實現量產，這將推動我國芯片產業向前一大步。
同時，中芯國際第二代FinFET N+2也正在研製之中，相信不久後便會有新的進展。目前，中芯國際最領先的製程為14nm，在2019年第四季度時實現量產。到今年第一季度，14nm已經佔據了中芯國際1.3%的比例。
隨著中芯國際14nm產能的不斷提高，這一比例還將進一步提升。根據此前計劃，到2020年末，中芯國際14nm產能有望達到1.5萬片晶圓/月。近兩年來，隨著國家對芯片產業重視程度的提高，中芯國際更是愈發受到矚目。
近段時間，中芯國際不僅獲得兩大國家級基金共計160億元的增資，並且成功上市。最終，中芯國際實現超計劃募資532億元。
其中，中芯國際將拿出213億元建設14nm生產線，用以擴大產能。其餘資金則將用於補償流動資金、先進與成熟工藝研發項目儲備資金。
在多方助力與中芯國際自身努力下，國產芯片有望迎來曙光。並且，中科院院長白春禮已經表示，將集中力量攻克光刻機等卡脖子難題。可以預見，接下來中國芯片產業將進步高速增長階段。
