半導體產業是高科技行業，技術門檻高，產值也高。半導體制造不僅需要先進的光刻機，材料也是其中重要的一環，主要包括硅片、光刻膠、高純度試劑、CMP材料、濺射靶材等。
濺射靶材：體量雖小，核心技術
高純金屬濺射靶材主要應用在晶圓製造和先進封裝過程，以芯片製造為例，我們可以看到從一個硅片變成一個芯片需要經歷7大生產過程，分別是擴散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜生長、化學機械拋光和金屬化，每個環節需要用到的設備，材料和工藝一一對應。濺射靶材就是被用在“金屬化”的過程中，通過薄膜沉積設備使用高能的粒子轟擊靶材然後在硅片上形成特定功能的金屬層，例如導電層，阻擋層等。
濺射靶材的種類較多，即使相同材質的濺射靶材也有不同的規格。按照不同的分類方法，能夠將濺射靶材分為不同的類別，主要分類情況如下：
（1）按形狀分類：長靶、方靶、圓靶；
（2）按化學成份分類：金屬靶材（純金屬鋁、鈦、銅、鉭等）、合金靶材（鎳鉻合金、鎳鈷合金等）、陶瓷化合物靶材（氧化物、硅化物、碳化物、硫化物等）；
（3）按應用領域分類：半導體芯片靶材、平面顯示器靶材、太陽能電池靶材、信息存儲靶材、工具改性靶材、電子器件靶材、其他靶材。
在濺射靶材應用領域中，半導體芯片對濺射靶材的金屬材料純度、內部微觀結構等方面都設定了極其苛刻的標準，需要掌握生產過程中的關鍵技術並經過長期實踐才能製成符合工藝要求的產品。因此，半導體芯片對濺射靶材的要求是最高的，價格也最為昂貴。相較於半導體芯片，平面顯示器、太陽能電池對於濺射靶材的純度和技術要求略低一籌，但隨著靶材尺寸的增大，對濺射靶材的焊接結合率、平整度等指標提出了更高的要求。此外，濺射靶材需要安裝在濺射機臺內完成濺射過程，濺射機臺專用性強，對濺射靶材的形狀、尺寸和精度也設定了諸多限制。
濺射靶材市場格局
濺射鍍膜工藝所需要的濺射靶材原材料純度高、專業應用性強。自誕生之日起，以美國、日本為代表的高純濺射靶材生產企業便對核心技術執行嚴格的保密措施，導致濺射靶材行業在全球範圍內呈現明顯的區域集聚特徵。
國外的濺射靶材生產商，較早涉足該領域從事相關業務。產業鏈完整，囊括金屬提純、靶材製造、濺射鍍膜和終端應用各個環節。依託先進的提純技術在整個產業鏈中居於十分有利的地位，具有較強的議價能力。國內濺射靶材製造水平達到國際先進水平，但規模和體量尚小，目前處於快速成長階段。
濺射靶材行業在我國起步較晚，目前仍然屬於一個較新的行業。近年來，隨著下游產業向中國轉移，國產靶材已開始實現突破。
前有市場格局優化、國內企業技術突破和政策支撐等良好基礎，後有中美貿易摩擦作為催化劑，靶材國產化替代正在加速中。相對於全球130億美金的市場，國內50億美金左右的市場而言，行業還有巨大的替代空間。
半導體驅動，靶材市場快速增長
據預計，2018年全球半導體規模增速達12.4%。2010~2016年，全球半導體銷售額保持平穩發展，而2017年全球市場增速超預期，達21.62%。特別是存儲器市場，增速高達61.49%。一方面，存儲芯片需求旺盛，產品價格大幅上漲；另一方面，物聯網、汽車電子、AI等新應用拉動下游需求。
此外，中國大陸地區近些年迎來了建廠熱潮。數據顯示，2016~2017年，全球新建了17座12英寸晶圓代工廠，其中有10座位於中國大陸。從未來的投資計劃看，2017~2020是晶圓廠投資的高峰期，預計全球新增半導體產線62條，其中有26條位於中國大陸，佔總數的42%。在這樣的產業背景下，全球對於晶圓的需求量將不斷提升。
我國國內的靶材市場需求也會大幅增加，同時，隨著國內濺射靶材技術的不斷成熟，再加上其先天的性價比優勢，國產靶材必將取得長足發展。
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