05.22 每颗晶粒容量达1Tb！Intel与Micron推出3D堆叠64层QLC快闪记忆体

无论你喜不喜欢，市场追求高容量与低成本的快闪记忆体脚步并不停歇，Intel与Micron正式宣布推出QLC纪录形式快闪记忆体，采用第二代3D堆叠64层制程，每颗晶粒拥有1Tb储存容量，相较过往TLC內存提升33%。

Intel与Micron这对快闪记忆体领域的合作伙伴，宣布推出第一款商业化的QLC纪录形式快闪记忆体，每个cell可以储存4bit资料，每颗晶粒容量达1Tb，也就是128GB，提供相当良好的储存容量与面积比值。目前此QLC內存采用第二代3D堆叠64层制程，依然是Floating Gate储存电子，并使用CMOS under array结构，且相较竞争对手仅安排2层CMOS，这款QLC采用4层，可以同步对更多的cell进行读写操作增加性能。

与此同时，Micron也利用这款QLC纪录形式快闪记忆体，推出针对读取密集型应用的5210 ION SSD，该ION系列预计将落在5200 MAX、PRO、ECO系列SSD之下与传统硬盘HDD之间，采用7mm高度、2.5寸外观、SATA 6Gb/s界面，容量为1.92TB至7.68TB，目前Micron并未公布较为详细的5210 ION SSD资讯，只强调该系列应用可节省机柜空间、降低耗电量。

5210 ION SSD为企业级产品，Intel和Micron双方面目前都未有QLC实际应用在消费端市场产品的详细时程，唯有Intel前阵子曾经藉由经销商曝光660p型号产品，660p将采M. 2外观规格PCIe 3.0 x2界面，并推出512GB/1TB/2TB容量版本，读写速度最快可达1800MB/s和1100MB/s，相较600p表现好得多。