國產內存研發獲得重大突破:打破歐美壟斷!

大家都知道,石油組織歐佩克通過調節產能來控(壟)盤(斷)石油的價格,而在國際上調(壟)控(斷)內存(DRAM)、閃存(NAND FLASH),則是通過停電、水災、火災、氦氣洩露等一系列的、有節奏的、高頻率的“產能事故”來影響供需以控盤,如同當年液晶面板一樣,通用人為扭曲供需來影響價格。要想擺脫這種境況,只有有更多的玩家進入。

國產內存研發獲得重大突破:打破歐美壟斷!

目前國內進入存儲芯片的有三大主力:長江存儲、長鑫、晉華。其中長江存儲以FLASH為主,在DRAM工廠上,主要有合肥長鑫/兆易創新以及福建晉華/聯電的兩個合作項目,不久前晉華/聯電因為與美光的專利糾紛而被美國製裁,DRAM內存生產進度會愛到影響。至於合肥長鑫的DRAM項目,此前的表態是今年底研發成功19nm DRAM芯片。

國產內存研發獲得重大突破:打破歐美壟斷!

近日紫光國微在互動平臺(紫光國微是A股上市公司,公眾可以直接對話董秘)上表示“公司DDR4存儲器芯片的開發工作已經基本完成,正在進行後續改進、完善及市場推廣工作。下游製造代工的情況目前沒有明顯改善,產能仍然很難保證。”

據悉,紫光國微副總裁杜林虎曾透露,公司在DRAM存儲器芯片產品方面加大投入,DRAM存儲器芯片及相關內存模組產品已形成完整的系列,目前DDR3是主流產品,DDR4有望在今年內完成開發。

國產內存研發獲得重大突破:打破歐美壟斷!

有投資者還詢問紫光國微,美國實行技術封鎖對貴公司業績有無影響,紫光國微表示,芯片設計業務都會涉及一些國際專業公司的技術或軟件使用授權,公司產品的開發過程中也是如此,但產品基本上不涉及技術的進口,中美貿易摩擦目前看對公司業務沒有直接影響,但貿易糾紛肯定會給行業整體的健康發展帶來不利影響。

我愛存儲網點評:中國存儲產業的發展會對全球存儲產業穩定度、健康度,國際市場的多元化發展產生積極影響。中國存儲產業的崛起,也僅僅是時間問題。


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