近日，新站高新区成功获批“安徽省知识产权示范园区”，标志着新站在知识产权助力创新创业，鼓励园区企业加快技术研发和成果转化，强化产业竞争的知识产权竞争等方面取得显著成效。合肥彩虹蓝光高端化合物半导体芯片战略性新兴产业重大专项的推进，正是新站高新区发挥知识产权工作在科技创新、经济发展方面支撑、引领作用的一个生动缩影。
合肥彩虹蓝光科技公司研发大楼
补齐产业链
化合物半导体，特别是宽禁带半导体，是支持国防军备、5G移动通信、新能源汽车等产业创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，正在成为世界各国竞争的技术制高点。2017年我国宽禁带射频器件规模约12.08亿元，预测至2022年，将达到200亿元，然而，我国化合物射频芯片的95%依靠进口。
目前，安徽省内已经聚集了芯谷微电子、科大先研院、38所、四创电子等一批化合物半导体方面的优秀企业，覆盖了器件设计、封测、应用等环节，唯独缺少材料生长、芯片加工这一产业链上的核心环节。对此，新站高新区加快产业布局，合肥彩虹蓝光高端化合物半导体芯片战略性新兴产业重大专项应运而生。该项目的成功推进可有效填补空白，在安徽省建立完整的化合物半导体的产业链，以期突破化合物半导体国外垄断，实现“自主可控”。
外延生长车间
年产值预计7亿
2018年9月，合肥彩虹蓝光高端化合物半导体芯片战略性新兴产业重大专项获得安徽省第三批重大新型产业专项建设支持。项目计划投资6.8亿元，建设一条6英兼容4吋的基于化合物半导体的材料生长及芯片制造的中试线，具体包含基于宽禁带GaN的功率和射频材料项目、基于宽禁带SiC的功率材料项目、基于化合物功率和射频芯片制造项目。目前，正在进行工艺技术研发并取得阶段成果，中试线建设正处于产线设计、设备调研、厂房建设规划阶段。根据规划，待该项目达产后，可实现材料生长、芯片加工、封装“一条龙”，预计年产值达到约7亿元。
工作人员放置6寸硅基片
产学研深化融合
党的十九大报告中提出，要深化科技体制改革，建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系。早在2016年，彩虹蓝光就瞄准了化合物半导体芯片，并开启了前期研发工作。然而项目的推进离不开强大研发团队的支持。同年9月，新站高新区、彩虹蓝光、北大携手建立协同创新中心，纵深推进政产学研深度融合，中心相关领域的技术研发人才，为项目提供了强有力的智力支持。
工作人员正在操作光致光谱检测设备
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