富士通有限公司和富士通實驗室有限公司已經開發出一種晶體結構，可以增加氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）中的電流和電壓。該結構可以有效地使用於微波頻帶中的發射器的晶體管的輸出功率增加三倍。
富士通開發出的新的GaN晶體管結構
富士通新的氮化鎵（GaN）晶體結構通過將施加的電壓分散到晶體管中來改善工作電壓，從而防止晶體管被損壞（其專利正在申請中）。該技術使得GaN器件能夠實現被認為是採用氮化銦鋁鎵（InAlGaN）阻擋層的GaN HEMT的19.9 W / mm柵極寬度的目前世界上最高的功率密度。
GaN HEMT技術可用作氣象雷達應用中的設備的功率放大器。將開發的技術應用於該領域中，預計雷達的觀測範圍將擴大2.3倍，能夠及早地發現可能會發展成暴雨的積雨雲。
富士通開發出的新的GaN HEMT的功率密度創造了新的記錄
富士通和富士通實驗室將對使用該技術的GaN HEMT功率放大器的耐熱性和輸出性能進行評估，目標是將這種高輸出功率，高頻GaN HEMT功率放大器商業化，用於雷達系統等應用，包括氣候雷達以及到2020財年的5G無線通信系統中。
（完）
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