富士通有限公司和富士通实验室有限公司已经开发出一种晶体结构，可以增加氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）中的电流和电压。该结构可以有效地使用于微波频带中的发射器的晶体管的输出功率增加三倍。
富士通开发出的新的GaN晶体管结构
富士通新的氮化镓（GaN）晶体结构通过将施加的电压分散到晶体管中来改善工作电压，从而防止晶体管被损坏（其专利正在申请中）。该技术使得GaN器件能够实现被认为是采用氮化铟铝镓（InAlGaN）阻挡层的GaN HEMT的19.9 W / mm栅极宽度的目前世界上最高的功率密度。
GaN HEMT技术可用作气象雷达应用中的设备的功率放大器。将开发的技术应用于该领域中，预计雷达的观测范围将扩大2.3倍，能够及早地发现可能会发展成暴雨的积雨云。
富士通开发出的新的GaN HEMT的功率密度创造了新的记录
富士通和富士通实验室将对使用该技术的GaN HEMT功率放大器的耐热性和输出性能进行评估，目标是将这种高输出功率，高频GaN HEMT功率放大器商业化，用于雷达系统等应用，包括气候雷达以及到2020财年的5G无线通信系统中。
（完）
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