第三代半导体产业技术创新发展大会在张家港高新区举行

6月30日下午,来自半导体行业的300多位专家、学者齐聚张家港,举行第三代半导体产业技术创新发展大会。这是张家港高新区在继成功举办2017中国宽禁带功率半导体及应用产业大会之后,举办的又一次的全国性的半导体行业盛会。

第三代半导体产业技术创新发展大会在张家港高新区举行

本次大会得到了第三代半导体产业技术创新战略联盟、国家半导体照明工程研发及产业联盟、亚欧第三代半导体科技创新合作中心的全力支持。会上,2018中国创新创业大赛第三代半导体专业赛东部赛区正式启动。中国工程院干勇院士,中国科学院郑有炓院士,中国科学院刘明院士,科技部高新技术发展及产业化司曹国英副司长,以及第三代半导体产业领域的专家、学者和企业代表参加了会议。大会围绕第三代半导体发展趋势、创新战略、技术应用、投资分析等主题进行了深入交流,干勇院士、郑有炓院士、刘明院士等行业专家学者分别作了发言报告。

第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以GaN、SiC等化合物半导体为代表的新型半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优点,正在成为全球半导体产业新的战略高地。

张家港高新区成立以来,秉承“发展高科技、培育新产业”的光荣使命,把化合物半导体作为“一区一战略”产业,以“一平台两基地”为重点,全力打造“化合物半导体世界之都”。

第三代半导体产业技术创新发展大会在张家港高新区举行

着力打造全球领先的化合物半导体协同创新平台。建有创新孵化器张家港纳米产业园、科技企业加速器华夏科技园。与中科院苏州纳米所共建张家港纳米研究院,与中科院上海微系统所共建张家港市集成电路产业促进中心。引进IDG资本、韩国投资伙伴(KIP)、大唐电信,设立总规模超200亿元的化合物半导体和集成电路专项基金。在化合物半导体领域已自主培育国家“千人计划”专家7名。目前,正在争创“国家化合物半导体产业技术创新中心”。

着力打造全球最大的半导体照明(LED)产业基地。在产业链关键环节,布局了一大批国际国内领军企业,半导体照明(LED)全产业链优势愈发凸显。全球领先的蓝宝石晶体生长、加工企业——恒嘉晶体,蓝宝石图形化衬底材料(PSS)龙头企业——锐捷光电,我国领先的LED封装企业——晶台光电,全球排名第二、LED芯片制造商,我国规模最大的LED外延片芯片产业基地——华灿光电,一批竞争力强,技术领先的半导体照明明星企业集聚高新区。

着力打造全球知名的化合物半导体和集成电路产业基地。已集聚相关企业20余家。全国首家氮化镓(GaN)材料研发生产企业——能华微电子,是由区内自主培育的国家“千人计划”专家朱廷刚博士创办,建有全国第一条完整的氮化镓(GaN)外延及工艺生产线,第一条8英寸氮化镓(GaN)芯片生产线。国内领先的功率管理智能芯片研发生产企业——杰华特微电子,是由区内自主培育的国家“千人计划”专家周逊伟博士创办,此外,还有国内领先的智能功率器件与集成企业——锴威特半导体。目前,高新区已形成化合物半导体设计—制备—封测—集成的完善产业链条。正在争创“国家火炬化合物半导体特色产业基地”。

市领导朱立凡、黄戟、王亚方、徐仲高、黄雪元、卞东方、陆德峰、陆崇珉会见了出席大会的专家、领导,市委常委、常务副市长卞东方到会致辞,经开区党工委副书记、管委会副主任,高新区党工委副书记、管委会主任,杨舍镇党委书记卢懂平出席会议,经开区党工委委员、管委会副主任,高新区党工委副书记、管委会副主任张雷主持大会。


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