集微網消息（文/Lee），7月5日，耐威科技發佈公告，耐威科技與青島市即墨區人民政府（以下簡稱“青島即墨”）、青島城市建設投資（集團）有限責任公司（以下簡稱“青島城投”）在 2018 年國際集成電路產業投資（青島）峰會上簽署《合作框架協議書》。
據悉，耐威科技將聚能晶源項目落地於青島市即墨區，該項目團隊掌握了國內領先的第三代半導體氮化鎵（GaN）從材料生長到器件設計、製造的完整高端工藝和豐富經驗，擁有該亟待爆發行業的核心競爭力，致力於為面向新一代功率與微波系統應用，成為面對低成本，高頻大功率應用的 8 寸硅基氮化鎵（GaN）晶圓材料供應商，助力青島佔領第三代半導體行業發展制高點。
青島城投擬通過青島海絲民合半導體投資中心（有限合夥）出資參與聚能晶源項目。青島即墨為青島市即墨區的行政主管單位。具體合作內容如下：
（1）為幫助和儘快形成產能，佔領國內第三代半導體材料市場份額，青島即墨同意與聚能晶源另行簽署正式項目合作協議，為聚能晶源提供一系列項目支持，如設備補貼、裝修補貼、辦公場所與廠方支持、稅收獎勵等。
（2）為支持聚能晶源吸納骨幹尖端人才，各方互相協助使得聚能晶源為本項目引進的優秀人才切實享受到青島市、區等各項人才優惠政策。
（3）聚能晶源預計本項目投資總額不少於約 2 億元人民幣：2018 年年底前投資總額不低於 5000 萬元人民幣，2020 年底前投資總額不低於 1.5 億元人民幣。
（4）聚能晶源未來產品線將覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化鎵（GaN）材料公司，項目主要產品有面向功率器件應用的氮化鎵（GaN）外延片，以及面向微波器件應用的氮化鎵（GaN）外延片等。
耐威科技表示，此次公司與青島即墨、青島城投就控股子公司聚能晶源相關項目的投資、落地情況達成緊密合作，有利於公司加快第三代半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產進度，有利於公司把握產業發展機遇，儘快拓展相關材料在國防裝備、航空電子、5G 通信、物聯網等領域的推廣應用，有利於公司以傳感為核心所進行的“材料-芯片-器件-系統-應用”的全面佈局，提高公司的綜合競爭實力，將對公司的長遠發展產生積極影響。
據悉，在2018年5月24日，耐威科技就曾發佈公告稱，公司擬與袁理先生、青島海絲民合半導體投資中心（有限合夥）、青島民芯投資中心（有限合夥）共同投資設立控股子公司青島聚能創芯微電子有限公司及控股子公司聚能晶源。
其中公司擬使用自有資金1,050萬元（分期投入）投資聚能創芯，持有其35%的股權；公司擬使用自有資金2,000萬元（分期投入）投資聚能晶源，持有其40%的股權。
耐威科技表示，聚能晶源主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發、生產，目的在於依託專業團隊優勢，聯合產業資源，積極佈局並把握寬禁帶化合物半導體材料（即第三代半導體材料）產業的發展機遇，聚焦相關材料在航空電子、5G 通信、物聯網等領域的應用，完善並豐富公司產業鏈。
資料顯示，第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大於或等於 2.3 電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導體材料，與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子速率等優點，可以滿足現代電子技術對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。（校對/Lee）
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