就在大家都覺得摩爾定律難以為繼的時候，三星忽然祭出一個神設計，將於2021年推出一項突破性的處理器技術，對最基本的電子元件進行根本性改造，使芯片性能提高35%，同時使能耗降低50%。
這明顯是要顛覆半導體產業的節奏啊。近年來，芯片行業一直難以克服極端小型化帶來的工程挑戰。這項名為“環繞柵極”(gate all around，GAA)的技術能夠對芯片核心晶體管進行重新設計和改造，使其更小更快。這是一個FinFET技術的有力的候選人之一。
這個GAA的示意圖表示
為了更深入的瞭解一下該技術，我特意登了一下不常去的谷歌。
FinFET到達22納米以下尺寸以後，隨著fin 越來越窄（fin指的是藍圖中中間部分。），加工的誤差相對增大，面臨著量子隧穿效應和窄溝道效應。下面兩圖就是gate門的演化歷史，目前分成了兩條演化路徑：橫向 GAA和垂直GAA。
fin 越變越窄
切面示意圖
兩條演進途徑 橫向和垂直的GAA
而三星很明顯的是才用的Lateral GAA架構，在工藝上能實現是一個很大的進步。看來，摩爾定律的大旗旗手要轉移到東方了。
國際商業戰略諮詢公司(International Business Strategies)首席執行官漢德爾·瓊斯(Handel Jones)表示，三星強大的材料研究項目正在取得成效。
他表示:“三星在GAA方面領先臺積電大約一年時間。”“而英特爾可能落後三星兩到三年。”
到2021年，如果三星能按時推出新的工藝的產品，DDR ram或者是CPU，那麼就會在市場上極大地提升佔有率。這對臺灣的臺積電和國內的紫光都形成了巨大壓力。
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