投資界（ID：PEdaily2012）4月21日消息，高端半導體設備企業江蘇魯汶儀器完成過億元B輪融資，本輪融資由中科創星領投，中冀資本、中域資本、祥暉資本、紅星美凱龍、中傑投資等多家投資機構跟投，老股東漢唐周本輪繼續追投數千萬元。本次融資資金主要用於團隊建設、設備快速研發和迭代，市場拓展備貨等方面。
魯汶儀器成立於2015年，創始團隊主要由來自國內外著名半導體設備研究或生產機構的資深半導體工藝和設備專家組成，在半導體刻蝕設備及工藝開發方面具有深厚的技術積累，尤其對磁性材料刻蝕技術有獨到的理解。魯汶儀器創造性的提出了ICP+IBE+PECVD多腔體刻蝕技術方案，配合魯汶儀器專利技術的腔體在線清洗技術，目前已獲得多家國內外頂級研發機構、生產企業的高度評價，有望解決困擾業界的磁性薄膜材料刻蝕難題，為MRAM存儲器的大規模量產提供可靠、經濟的刻蝕解決方案。
中科創星投資總監盧小保認為，存儲器是半導體最大的一個細分領域，佔到了半導體市場份額的1/3，新興存儲器如MRAM在功耗、讀寫速度、壽命、非易失性、工藝可微縮性、可靠性等各方面優勢明顯，有望取代DRAM，甚至部分取代SRAM，成為通用型存儲器類型。目前STT-MRAM已經開始在嵌入式存儲器領域發力，TSMC、三星、Globalfoundries等領先企業都發布了嵌入式STT-MRAM工藝，SOT-MRAM研發進展順利，有望成為真正意義上的通用存儲器。MRAM核心難點在於薄膜沉積和磁性材料刻蝕，尤其是磁阻隧道結的刻蝕，是困擾工業界的最大難題，目前工業界尚不能提供理想的刻蝕解決方案，魯汶儀器創造性的提出了多腔體刻蝕+腔體在線清洗技術，有望率先解決MRAM器件刻蝕的技術瓶頸，為MRAM存儲器的規模量產提供解決方案。
