有消息，第三代半導體產業納入“十四五”規劃，在2021到2025年的五年之內，舉全國之力，實現產業獨立自主，不再受制於人。
8月，中芯國際創始人張汝京曾公開表示：
第三代半導體目前已成為新主流
第三代半導體的發展遵循的不是摩爾定律，而是後摩爾定律，“它的線寬不是很小的，設備也不是特別的貴，但是它的材料不容易做，設計上要有優勢。”
中國在半導體一代（硅、鍺元素）和二代半導體（砷化鎵、銻化銦等）都比較落後。
第三代半導體材料是以氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶為代表。
中國在三代半導體氮化鎵（GaN）領域，起步早。
1998年中國十大科技成果之一是合成納米氮化鎵。
2020年5月11日，科技日報公佈了第二屆全國創新爭先獎牌擬表彰名單，共有10個國內各領域頂尖團隊上榜。
ON.1 三代半導體--氮化鎵（GaN）創新團隊
表明中國第三大半導體氮化鎵（GaN）材料的研究，現在是領先全球的。
三代半導體氮化鎵（GaN）性能非常優異，比二代半導體各方面的性能都高出數倍。
例如，1英寸氮化鎵晶片可刻成1億萬粒LED，亮度高，低熱性，不發熱。
氮化鎵（GaN）主要用於：
微波射頻：5G通信、雷達預警、衛星通訊；
電力電子方向：智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費電子；
光電子方向：LED、激光器、光電探測器。
氮化鎵不存在於自然界中，只能通過人工合成，研發及商用成本很高，一片五釐米大小的氮化鎵片，目前售價超過2萬元。
中國的三代半導體現在的主要用途是：
軍工雷達系統
雷達系統是各類彈道導彈攻防的基礎。
2020年2月，中國的052D驅逐艦，開到了夏威夷附近海域，自由航行，演練海上補給。
中國的055大型驅逐艦和052D驅逐艦，在諸多性能上，已經超越美國，成為反導利器和實實在在的航母殺手。
中國新型驅逐艦能夠形成強大威懾力，並不是簡單的噸位和配備的導彈系統，最重要的是以三代半導體氮化鎵為材料基礎的第五代數字陣列雷達（有源相控陣雷達的頂級水平），領先美國數年（儘管美國說自己已經趕上了）。
第五代數字陣列雷達能240公里外，發現網球一樣大小雷達反射截面的隱形戰機F22，讓對方無法隱形。
在複雜作戰環境下，有源相控陣雷達的抗干擾能力和損管能力要優於無源相控陣雷達。
這就是為什麼中國的大驅可以單獨去夏威夷附近的原因，如果再來一次補給，可輕鬆抵達美國西海岸。
美國當然也可以升級自己的艦載雷達系統等，但這需要的不僅僅是一個雷達的問題，是一系列海軍戰略規劃和巨大的軍事支出的問題，是整個從軍事戰略，到艦艇升級換代。
僅僅一個氮化鎵產業化，美國目前離中國這樣的規模市場，還差得有點遠。
鎵這個元素屬於稀土範疇，美國在稀土領域對中國的依賴程度，就不用多說了，大家可以自己去查一下。
最近，美議員還在鼓動建立本土稀土產業“擺脫對華依賴”。
8月，我國第25艘052D型導彈驅逐艦和第8艘055型驅逐艦同日正式下水，我國的神盾艦數量達到了41艘，其中有39艘導彈驅逐艦是有源相控陣神盾艦，在規模上屬於全球第一。
美國海軍擁有74艘伯克級驅逐艦，但是其宙斯盾作戰系統中的無源相控陣雷達，在探測距離和探測精度上與中國有源相控陣雷達還有一定的差距。
最新的伯克-3型驅逐艦上，美國海軍才開始安裝有源相控陣雷達，不過還處於建造階段。
5G、物聯網、大數據和人工智能驅動的新計算時代的到來，對半導體器件的可靠性與性能指標的要求也更加嚴苛，需求量日益增長。
國際上第三代半導體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）開始逐漸受到市場的重視，已形成完整的覆蓋材料、器件、模塊和應用等環節的產業鏈，全球新一輪的產業升級已經開始。
第三代半導體材料產業鏈包括：上游襯底、中游外延片、下游器件、模組製造。
氮化鎵（GaN）方面：
國內企業已經可以小批量生產2英寸襯底，具備4英寸襯底生產能力，並開發出6英寸襯底樣品。
蘇州納米所的蘇州納維科技公司、北京大學的東莞中鎵半導體科技公司（均未上市），實現了材料產業化。
三安光電（600703）的子公司三安集成，主營LED外延片、通訊元器件、芯片、化合物半導體代工。
聞泰科技（600745），是氮化鎵效應晶體管(GanFET)，主營手機ODM原廠委託設計。
耐威科技(300456)，是氮化鎵（GaN）材料的生長與器件的設計，已成功研製8英寸硅基氮化鎵外延晶圓，主營電子傳感器。
海陸重工（002255），子公司江蘇能華微電子科技發展有限公司，專業研發、生產氮化鎵( GaN)複合半導體高性能晶圓和成功率器件。
海特高新（002023），子公司海威華芯主營氮化鎵功率器件代工，和三安集成業務高度重疊。
碳化硅（SiC）方面：
硅襯底的化合物材料，基本能夠滿足在5G/IoT/AI的高頻、高壓、高功率技術要求，目前在經濟性方面有優勢。
軍工、安防、航天等少部分需要超高規格的應用領域，才需採用化合物單晶材料。
化合物單晶材料以美歐廠商英飛凌、科銳和羅姆半導體，佔據90%的市場份額。
國際先進技術已將碳化硅（SiC）單晶襯底從4英寸推廣到8英寸，預期成本每年能下降10-15%。
國內也不弱，形成相對完整的產業鏈體系，碳化硅（SiC）襯底，4英寸實現了量產，已完成6英寸襯底的研發。
襯底材料方面有山東天嶽（華為佔股10%）、天科合達、河北同光。
中游外延片（EPI硅片）有東莞天域半導體、廈門瀚天天成。
器件和模組有斯達半導（603290）、泰科天潤、中車時代電氣等
國內企業已開發出1700V/1200A的混合模塊、4500V/50A等大容量全SiC功率模塊，在SiC-SBD形成銷售收入。
看上去很美的一項高新科技，真正弄明白很難，控制風險牢記心頭。
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