為了解決晶圓尺寸不匹配和Micro-LED生產中的良率問題，ALLOS應用其獨特的應變工程技術。基於該技術製作出的硅基氮化鎵外延片具有非常好的均一性和穩定性，可用於200 mm尺寸晶圓的生產。此外，該公司還報告了其在300mm路線圖上的積極進展。
據外媒Compound Semiconductor報道，如業內所知，良率問題一直都是Micro-LED顯示器商業化的關鍵，它直接影響到製造的複雜性和成本。為了降低所需的成本，大尺寸晶圓製作是必不可少的，特別是將CMOS晶圓與Micro-LED外延片鍵合的方案。相較於傳統較小晶圓尺寸的藍寶石基氮化鎵方案，這種方案對匹配晶圓的尺寸更為依賴。ALLOS團隊已經通過其應變工程技術的使用進一步提升了芯片波長的均勻性。實際上，他們已經於2019年2月在Veeco的Propel產品上展示了200 mm的硅基氮化鎵LED外延片，相應的標準差（STDEV）僅為0.6 nm。
根據最新的結果來看，ALLOS這種實現200 mm晶圓尺寸下STDEV小於1nm的技術方案已經擁有非常好的重複性。“與此同時，我們還達成了其他所有生產要求，例如Bow值（彎曲度，晶圓中心平面的凹凸變形量）小於40 µm，SEMI標準厚度725 µm。這些參數對於CMOS晶圓與Micro-LED外延片的鍵合非常重要，” ALLOS的共同創始人之一，亞歷山大·洛辛（Alexander Loesing）補充說，“這些成果令人印象深刻，因為這顯示在目前非常有限的時間和資源前提下，我們的技術團隊一步一個腳印地推動了GaN技術的發展。”
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