最近，有消息稱臺積電的5nm工藝已經開始試生產了，預計在今年的第二季度開始大規模量產。臺積電5nm的晶體管密度可能是每平方毫米1.713億個，相比於初代7nm的每平方毫米9120萬個，足足88％，提升非常明顯。
臺積電製程路線
再反觀中芯國際，根據最新的消息顯示，中芯國際目前還在打磨14nm，預計在今年年底才會來試產第一代7nm，而臺積電第一代7nm在2018年4月份就開始了量產，中芯國際7nm比臺積電晚了有3年，路漫漫其修遠，還要繼續加油啊！
中芯國際全球佈局
根據之前臺積電的官方消息，其5nm的晶體管密度的提升幅度為84%，但實際曝光的提升幅度為88%，臺積電還是很謙虛啊。WikiChips分析了一張臺積電5nm晶體管結構側視圖發現，其柵極間距為48nm，金屬間距則是30nm，鰭片間距25-26nm，單元高度約為180nm，這樣的晶體管結構目前還沒有人能夠超越。
臺積電5nm側視圖
毫無疑問的是臺積電這代5nm會使用EUV極紫外光刻技術，臺積電在2017年就一下子買到了5臺ASML的極紫光光刻機，這麼多年使用下來肯定有不少經驗；額，而中芯國際在今年3月6號才拿到第一臺ASML的極紫光光刻機，這裡面又是相差了差不多3年，想要追趕上臺積電談何容易。
ASML極紫光光刻機
當然，我們也不要氣餒，中國芯片行業本身的起步時間就比別人晚，有很多薄弱環節，但是在一些細分領域還是有亮點的，比如華為海思的麒麟系列處理器，雖然是給臺積電代工，但設計能力還掌握在華為海思手上。
麒麟990處理器
中芯國際在去年也已經開始量產14nm工藝了，聯席CEO梁孟松也公開了N+1、N+2代工藝的情況，他說N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。N+1之後還會有N+2，這兩種工藝在功耗上表現差不多，區別在於性能及成本，N+2是面向高性能的，成本會有所增加。
中芯國際14nm產品
現在，ASML最新的極紫光光刻機到手了，中芯國際也非當年在吳下阿蒙了，埋頭苦幹，奮起直追吧！
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