2020 年 3 月 11 日 — 推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC）MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。 這些新器件適用於各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和 EV 充電樁，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET 根本無法實現的。
安森美半導體的新的 1200 伏（V）和 900 V N 溝道 SiC MOSFET 提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性。快速本徵二極管具有低反向恢復電荷，顯著降低損耗，提高工作頻率以及整體方案的功率密度。
小芯片尺寸進一步增強高頻工作，達至更小的器件電容和更低的門極電荷 -Qg（低至 220 nC），從而降低在高頻下工作時的開關損耗。這些增強功能比基於 Si 的 MOSFET 提高能效，降低電磁干擾（EMI），並可使用更少（或更小）的無源器件。極強固的 SiC MOSFET 比 Si 器件提供更高的浪湧額定值、更好的雪崩能力和更高的抗短路性能，從而提供更高的可靠性和更長的使用壽命，這對高要求的現代電源應用至關重要。較低的正向電壓提供無閾值的導通狀態特性，減少器件導通時產生的靜態損耗。
1200 V 器件的額定電流高達 103 A（最大 ID），而 900 V 器件的額定電流高達 118 A。對於需要更高電流的應用，安森美半導體的 MOSFET 可易於並聯運行，因其正溫係數 / 不受溫度影響。
安森美半導體電源方案部功率 MOSFET 分部副總裁 / 總經理 Gary Straker 針對新的 SiC MOSFET 器件說：“如果設計工程師要達到現代可再生能源、汽車、IT 和電信應用要求的具挑戰性的高能效和功率密度目標，他們需要高性能、高可靠性的 MOSFET 器件。安森美半導體的 WBG SiC MOSFET 提升性能至超越硅器件所能提供的，包括更低的損耗，更高的工作溫度，更快的開關速度，改善的 EMI 和更高的可靠性。安森美半導體為進一步支援工程界，還提供廣泛的資源和工具，簡化和加速設計流程。”
安森美半導體的所有 SiC MOSFET 都不含鉛和鹵化物，針對汽車應用的器件都符合 AEC-Q100 車規和生產件批准程序（PPAP）。所有器件都採用行業標準的 TO-247 或 D2PAK 封裝。
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