MOSFET、IGBT 國際大廠把持MOSFET 與 IGBT 各具優劣
MOSFET 依內部結構不同，可達到的電流也不同，一般大到上 KA 也是可行，但 MOSFET 耐電壓能力沒有 IGBT 強。
而 MOSFET 優勢在於可以適用高頻領域，MOSFET 工作頻率可以適用在從幾百 KHZ 到幾十 MHZ 的射頻產品。而 IGBT 到達 100KHZ 幾乎是最佳工作極限。
最後，若當電子元件需要進行高速開關動作，MOSFET 則有絕對的優勢，主要在於 IGBT 因有整合 BJT，而 BJT 本身存在電荷存儲時間問題，也就是在 OFF 時需耗費較長時間，導致無法進行高速開關動作。
所以綜合來看，MOSFET 適用在攜帶型的充電電池領域，或是行動裝置中。至於 IGBT 則適用在高電壓、大功率的設備，如電動馬達、汽車動力電池等。
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