五款無刷電機驅動電路
1、三相六臂全橋驅動電路
無刷直流電機驅動控制電路如圖1 所示。該電路採用三相六臂全橋驅動方式，採用此方式可以減少電流波動和轉矩脈動，使得電機輸出較大的轉矩。在電機驅動部分使用6個功率場效應管控制輸出電壓，四軸飛行器中的直流無刷電機驅動電路電源電壓為12 V.驅動電路中，Q1~Q3採用IR公司的IRFR5305（P溝道），Q4~Q6為IRFR1205（N 溝道）。該場效應管內藏續流二極管，為場效應管關斷時提供電流通路，以避免管子的反向擊穿，其典型特性參數見表1.T1~T3 採用PDTC143ET 為場效應管提供驅動信號。
由圖1 可知，A1~A3 提供三相全橋上橋臂柵極驅動信號，並與ATMEGA16單片機的硬件PWM驅動信號相接，通過改變PWM信號的佔空比來實現電機轉速控制;B1~B3提供下橋臂柵極驅動信號，由單片機的I/O口直接提供，具有導通與截止兩種狀態。
無刷直流電機驅動控制採用三相六狀態控制策略，功率管具有六種觸發狀態，每次只有兩個管子導通，每60°電角度換向一次，若某一時刻AB 相導通時，C 相截至，無電流輸出。單片機根據檢測到的電機轉子位置，利用MOSFET的開關特性，實現電機的通電控制，例如，當Q1、Q5 打開時，AB 相導通，此時電流流向為電源正極→Q1→繞組A→繞組B→Q5→電源負極。類似的，當MOSFET 打開順序分別為Q1Q5，Q1Q6，Q2Q6，Q2Q4，Q3Q4，Q3Q5時，只要在合適的時機進行準確換向，就可實現無刷直流電機的連續運轉。
2、三相全橋驅動電路
下圖為無刷電機的三相全橋驅動電路，使用六個N溝道的MOSFET管（Q1～Q6）做功率輸出元件，工作時輸出電流可達數十安。為便於描述，該電路有以下默認約定：Q1/Q2/Q3稱做驅動橋的“上臂”，Q4/Q5/Q6稱做“下臂”。
圖中R1/R2/R3為Q1/Q2/Q3的上拉電阻，連接到二極管和電容組成的倍壓整流電路（原理請自行分析），為上臂驅動管提供兩倍於電源電壓（2×11V）的上拉電平，使上臂MOSFET在工作時有足夠高的VGS壓差，降低MOSFET大電流輸出時的導通內阻，詳細數據可參考MOS管DataSheet。
上臂MOS管的G極分別由Q7/Q8/Q9驅動，在工作時只起到導通換相的作用。下臂MOS由MCU的PWM輸出口直接驅動，注意所選用的MCU管腳要有推輓輸出特性。
3、單片機控制直流無刷電動機驅動及接口電路圖
圖1示出採用8751單片機來控制直流無刷電動機的原理框圖。8751的P1口同7406反相器聯結控制直流無刷電動機的換相，P2口用於測量來自於位置傳感器的信號H1、H2、H3，P0口外接一個數模轉換器。
圖1 直流無刷電動機計算機控制原理圖
4、電動車無刷電機控制器驅動電路圖
5、全橋驅動電路
無刷直流電機一般使用全橋驅動，即6個MOSFET分別構成上臂和下臂，通過MCU具有推輓輸出的IO口控制，或者使用電機驅動專用芯片控制。
最常用的應該是3個P-MOS+3個N-MOS，電路結構簡單。如下圖所示。
這裡使用的是MK電調V2.0版本中使用的MOSFET，P-MOS—IRFR5305、N-MOS—IRFR1205N-MOS的Vgs（th）=2V~4V，直接用工作在VCC=5V的MCU即可驅動控制，但注意IO口必須具有推輓輸出功能，否則IO口的驅動能力不夠。圖中R7/R8/R9可視為下拉電阻，使N-MOS的柵極電平有一個參考地，電平穩定不會意外導通MOSFET。R10/R11/R12電阻的作用有三個，一是減少振盪，二是減小柵極充電的峰值電流，三是防止N-MOS的漏-源極擊穿。
由於MCU的IO引腳都存在雜散電感，與柵極電容串聯形成LC振盪，加入電阻後會增大振盪阻尼而減小振盪；當對柵極加驅動電壓時，會對柵源電容Ciss充電，此時Vgs上升但未到達閾值電壓Vgs（th）時Vds基本不變，這段時間稱為導通延遲時間td（on）。當Vgs》Vgs（th）時，Vds下降同時id上升，這期間柵極和漏極之間的傳輸反向電容Crss開始向漏極放電，而此時柵極電流會流向該電容對其充電，但基本沒有對Ciss充電，所以Vgs基本保持不變，這段時間稱為上升時間tr，tr之後才會繼續對Ciss充電。電容充電的尖峰電流可以計算如下：I=Qg/（td+tr），其中Qg=Qgs+Qgd，即td+tr時間內的充電電量，計算結果電流是遠大於MCu的IO口輸出驅動電流，因此通過串聯電阻，增加充電時間，即t=RC。但這會導致Vgs的上升沿和Vds的下降沿斜率減小，影響MOSFET的開關性能，所以電阻的選取要準確。（此處理論知識分析可能不正確，我也在學習MOSFET的驅動應用原理，若有誤或需要補充會再做修改）
防止漏源擊穿的原因也是和電容的時間常數有關，當柵極驅動電壓快速關斷，漏源極從導通狀態變為截止狀態，Vds迅速增加，當dVds/dt過大就會擊穿器件，串聯電阻可以減緩Ciss的放電時間，使Vgs緩慢變化，因此Vds不會迅速增加。
P-MOS的Vgs（th）《0，源極一般加11V電壓，MCU的IO口無法正常控制P-MOS的開關，我們需要用三級管驅動柵極，三極管由IO口驅動控制。電阻R1/R2/R3上拉柵極電壓，使P-MOS能關斷。這個電阻不能太小，否則會造成三極管導通時承受過大的電流。同時電阻也不能太大，否則會增加三極管BC極間電容的充電時間，延長三極管的導通時間，進而影響P-MOS柵極電壓Vgs的上升時間。
三極管的選擇不能選用我們常用的8050或9013小信號的三極管，它們的耐壓和導通電流太低，所以這裡我選擇了SS8050（MK中使用的三極管找不到）。R4/R5/R6阻值的選擇無特別要求，只要使三極管工作在飽和區即可。
文章素材來自互聯網
閱讀更多 world技術匯 的文章
