※ 1. 半導體晶圓製造產能向中國轉移，國內半導體制造材料迎來發展機遇
半導體制造材料包含硅片、光刻膠、光掩膜、濺射靶材、CMP拋光材料、溼化學品、電子特氣、石英材料等。近年來，半導體晶圓製造產能持續向中國轉移，國內各地加碼晶圓產能規劃，我們判斷國內半導體制造材料行業已經進入快速上行趨勢，主要邏輯有三：1、下游市場不斷增長，IC Insight預測2018-2022市場年均複合增速高達14%；2、本土企業技術突破加速，個別細分領域產品性能達國際先進水平，國產化率不斷提高；3、政策端持續大力支持半導體相關材料領域發展，包括大基金、02專項在資金和技術上的支持。
※ 2. 硅片：材料市場佔比最高，大硅片發展空間大
硅片在半導體制造材料細分子行業中市場佔比最高，2018年全球硅片市場規模達121.2億美元。半導體制造所用硅片以8英寸和12英寸為主。目前12英寸硅片國產化率僅約13%，隨國內總需求提升及硅片國產化率提高，12英寸硅片行業將實現快速增長；8英寸硅片下游終端對應的汽車電子及工業應用半導體領域目前快速發展，將推動8英寸硅片需求進一步上行。
※ 3. 光掩膜及光刻膠：光刻技術關鍵材料，國產替代待進一步突破
光掩膜及光刻膠（i型、g型、KrF型和ArF型光刻膠）是光刻環節中的關鍵材料，2018年對應全球市場分別為17.3、40.4億美元。二者市場主要為日本及歐美企業壟斷，國產化率水平低。以光刻膠行業為例，對應主流製程的KrF型光刻膠國產化率僅5%，ArF型光刻膠基本依賴進口。行業內已有多家公司開展相關研發和產業化項目，預計兩種材料將在未來加快國產替代進程。
※ 4. 濺射靶材：發展較快，國內產品達領先製程要求，國產化率高於30%
濺射靶材如銅靶、鉭靶、鋁靶等主要應用於半導體制造過程中的金屬濺射環節，2018年全球市場為8億美元。經我們測算，半導體濺射靶材國產化率高於30%，目前國內企業產品性能已滿足國際領先半導體制程要求，未來可實現大批量供貨。受益於晶圓廠產能提升，國產替代進程推進，預計行業將持續發展。
※ 5. 電子特氣、CMP拋光材料、溼化學品：20%左右國產化率，國產替代將持續推進
電子特氣（如高純度SiH4、PH3、AsH3、N2O、NH3、SF6、NF3、CF4、BCl3、BF3、HCl、Cl2等）、CMP拋光材料（CMP拋光液及拋光墊）、溼化學品（超淨高純試劑和功能性材料等）三個細分子行業2018年全球市場分別為42.7、21.7、16.1億美元。除CMP拋光墊國產化率水平仍較低，其餘幾種材料均已實現一定程度的國產替代，電子特氣、CMP拋光液、溼化學品國產化率分別約為25%、20%、20%，部分產品可達國際領先製程水平對應技術要求。在下游市場不斷擴大，技術壁壘實現突破，國產化率取得進展的背景下，我們預計電子特氣、CMP拋光材料、溼化學品的國產替代將持續推進，實現行業快速發展。
※ 6. 石英材料：貫穿半導體制造全程，下游半導體、光通訊、光伏產業發展將推動行業快速上行
石英材料（石英鐘罩、石英管、光掩模基板、石英環、石英清洗箱、石英花籃、石英舟等）是半導體制造的重要材料，其應用貫穿晶圓製造全程。半導體用石英材料目前國產化率低，市場幾乎為國外公司壟斷。受益於下游半導體產能轉移、5G光纖需求增長、光伏產業持續發展，石英材料行業有望加速進口替代，進入快速上行趨勢。
風險提示：硅晶圓產能建設不及預期，國內半導體材料產業研發進度、產能建設情況不及預期，相關政策落地進度不及預期，原材料價格波動等風險
證券研究報告《有色：新材料系列報告之一——半導體行業新材料》
對外發布時間：2020年03月02日
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