據報道，韓國KAIST大學物理系的科研人員開發出可控厚度的黑磷隧道場效應晶體管（TFET），相對傳統半導體（CMOS）晶體管，該晶體管的功耗低10倍，待機功耗低10000倍。該研究小組表示，他們研發的黑磷TFET實現了創紀錄的高通態電流，這使得TFET能夠以比傳統CMOS晶體管更高的速度運行，並且功耗更低。華創證券建議關注：
◆興發集團（600141）是我國最大的磷礦資源企業。公司控股子公司中科黑磷與中科院先成立聯合實驗室，進行二維黑磷的大規模製備及應用，已在芯片製造、提高貴金屬催化效果、抗腫瘤靶向治療方面取得進展，已申報和正在申報的黑磷相關專利達15項。
◆國軒高科（002074）擁有黑磷製備專利。
◆澄星股份（600078）是我國精細磷化工龍頭企業，已經獲得採礦權或探礦權的磷礦資源儲量超過1.26億噸。
本文源自證券時報網
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