据报道，韩国KAIST大学物理系的科研人员开发出可控厚度的黑磷隧道场效应晶体管（TFET），相对传统半导体（CMOS）晶体管，该晶体管的功耗低10倍，待机功耗低10000倍。该研究小组表示，他们研发的黑磷TFET实现了创纪录的高通态电流，这使得TFET能够以比传统CMOS晶体管更高的速度运行，并且功耗更低。华创证券建议关注：
◆兴发集团（600141）是我国最大的磷矿资源企业。公司控股子公司中科黑磷与中科院先成立联合实验室，进行二维黑磷的大规模制备及应用，已在芯片制造、提高贵金属催化效果、抗肿瘤靶向治疗方面取得进展，已申报和正在申报的黑磷相关专利达15项。
◆国轩高科（002074）拥有黑磷制备专利。
◆澄星股份（600078）是我国精细磷化工龙头企业，已经获得采矿权或探矿权的磷矿资源储量超过1.26亿吨。
本文源自证券时报网
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