長鑫存儲目前月產能約為2萬片，規劃到2020年底晶圓月產能達12萬片。
長鑫存儲公佈其最新的DRAM技術路線圖，已採用19納米的工藝生產DDR4內存，包括4Gb和8Gb兩種型號，目標是在2020年第一季度上市。受利好消息影響，DRAM產業鏈公司股價大漲，北方華創早盤一度漲停，收漲7.93％。
DRAM實現國產化突破
我國作為芯片消費大國，每年都需要從國外進口半導體芯片，其中DRAM內存芯片佔比最高，有20％以上。DRAM領域一直被三星、SK海力士、美光國外三巨頭掌控，我國在此領域多年來一直沒有突破，幾乎完全依靠進口。為打破對外依存度過高的局面，長鑫存儲在合肥市政府和相關企業的共同推動下成立。
根據天眼查信息，長鑫存儲技術有限公司的母公司合肥長鑫集成電路有限責任公司成立於2016年，由合肥市產業投資控股（集團）有限公司控股，後者是合肥市國資委控股公司，投資芯片等戰略性產業的發展。
長鑫存儲DRAM技術來源於奇夢達，後者是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠，破產後一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據被長鑫存儲獲得。之後通過與國際大廠合作，持續投入研發超過25億美元，並不斷完善自身研發技術，目前長鑫存儲已形成自己的技術體系。目前雖然技術、產能都不能與海外大廠相比較，但對於國內還無法自制DRAM的現狀來說，確屬一大突破。
在製造工藝上，除了19nm和17nm的工藝製造內存芯片外，長鑫還制定了至少兩個10納米級製造工藝的路線圖，並計劃在未來生產所有類型的DRAM。目前長鑫月產能約為2萬片，規劃到2020年底晶圓月產能將達12萬片。另外，長鑫存儲計劃再建兩座DRAM晶圓廠，繼續擴大產能以滿足國內龐大的DRAM需求。預計到2020年底，其10nm級工藝技術的產能為12萬片晶圓（12英寸），媲美SK海力士在中國無錫的工廠。
多股受益於國產替代機會
國產DRAM的突破對於國內產業鏈是一個巨大機會，出於不受制於人的考量，從設備、設計、製造到封測等芯片國產化個股有望獲得大幅成長。
兆易創新是國內的存儲芯片全平臺公司、半導體產業龍頭，存儲（Nor flash）及MCU兩大主業國內第一，遠遠領先國內同行業對手。此外，還與合肥市政府共同推動了長鑫存儲成立，兆易董事長朱一明亦是合肥長鑫的董事長兼首席執行官。長鑫存儲的成立投產，擴大了兆易創新的存儲產品版圖，向著更高的DRAM領域進發。民生證券認為，長鑫DRAM產品的投產將和兆易flash產品形成雙劍合璧，從25億美金的Nor進入1000億美金的DRAM市場。
北方華創是國內半導體設備的龍頭企業，也是國家大基金重點扶持的設備企業。目前國內半導體設備自給率不及10％，進口替代的空間巨大，DRAM擴大產能，最先受益的是相關的設備廠商。公司產品基本上覆蓋了整個半導體制造產業關鍵環節工藝的設備。
長電科技提供從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套生產服務。全球前二十大半導體公司中有85％為公司客戶。在供應鏈安全重要性提高的背景下，DRAM擴產對於國內的封測大廠會產生直接的需求拉昇，市場份額有望獲得較大提升。
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