在芯片廠商盡情地在前場激情廝殺的同時，後方芯片製造也隱藏著更加激烈的戰場，在這場沒有硝煙的爭奪中，發生過太多爾虞我詐，而且有時候如果競爭過於激烈還容易發生擦槍走火殃及前方戰場的慘案。
晶圓製造材料是半導體材料核心
半導體材料屬於高技術壁壘行業，特別是晶圓製造材料，技術要求高，生產難度大。目前，半導體材料高端產品大多集中在美國、日本、德國、韓國、中國臺灣等國家和地區生產商。國內由於起步晚，技術積累不足，整體處於相對落後的狀態。目前，國內半導體材料主要集中在中低端領域，高端產品基本被國外生產商壟斷。近年來國內半導體材料生產商加大了研發投入，大力推進半導體材料的研發及生產，力爭實現國產替代。目前在部分細分領域，已經突破國外壟斷，實現規模化供貨。
按製造工藝不同，半導體材料可以分為晶圓製造材料和封裝材料。其中，晶圓製造材料由於技術要求高，生產難度大，是半導體材料的核心。2018年晶圓製造材料全球銷售額為322億美元，佔全球半導體材料銷售額的62％。晶圓製造材料全球銷售額增速15.83％，高於全球半導體材料銷售額增速。
晶圓製造材料包含硅、掩膜版、光刻膠、電子氣體、CMP拋光材料、溼化學品、濺射靶材等，其中硅的佔比最高，約佔整個晶圓製造材料的三分之一。
國內晶圓代工競爭格局
整個代工行業中，自2015年起先進製程營收規模佔據首要地位，統計TSMC、GF、UMC、Vanguard、中芯國際、華虹半導體六家主要晶圓代工廠商數據，2017年全年來自28nm以上先進製程、28nm-90nm成熟製程、 8寸晶圓的營業收入分別約205億、15.375億、143.5億美元，營收佔比分別達40%、30%、28%。臺積電利用技術優、規模優勢以及高額的利潤和良好的現金流支撐鉅額的資本開支和研發支出，不斷擴大領先地位，成為行業絕對的王者。中國大陸的長江存儲（IDM）、中芯國際資本開支躋身世界前十。
2017年臺積電10nm營業收入佔比已達10%，14nm以下晶圓市佔率達100%，包攬14nm以下純晶圓代工所有訂單（不含存儲器），28nm先進製程市佔率達71%，12寸（40-90nm）成熟製程，目前前臺積電市佔率約50%，8寸（90nm-0.35um）成熟製程臺積電市佔率約41%，位居8寸硅晶圓代工榜首。
28nm先進製程各代工企業競爭激烈，聯電、格羅方德、中芯國際均有產線量產，華虹JV 也逐漸進入28nm陣營。但臺積電技術突破最早，並利用低價搶佔更多市場份額，加上整個製程擴產相對激進，供大於求，使其餘廠商毛利率承壓。12寸成熟製程各大廠商幾乎平分秋色。
據統計，8寸晶圓產能在2012-2014年變化不大，而在2015年後產能有所上升，2017年產能相比2015年上漲約7%，受上游硅片供給不足、中低端MCU/PMIC需求增加及功率半導體大量轉向8英寸廠投片，2017年底全球8寸片已出現供需緊張。根據測算，8英寸晶圓的需求量約在550萬片-560萬片每月，供需緊張的局面仍將持續到2019年。
中國晶圓代工的機會與挑戰
2012-2017全球主要半導體代工企業中國區收入CAGR約25%，中國區收入佔全球比例從7.3%上升至13.4%，說明中國半導體設計企業成長快速。按中國區收入口徑統計，臺積電壟斷28nm以上先進工藝，2017年在中國大陸客戶的市佔率達到53%。中芯國際、華虹集團兩大晶圓代工廠商合計市佔率達28%，與臺積電仍有不小差距。不過另一方面，也說明了我國大陸本土企業的市場增長空間仍然巨大，前景向好。一旦擁有先進的技術或差異化產品，加上地域優勢，很容易搶佔大陸的市場份額。
受產業政策推動，中國大陸半導體行業產能迅速擴張，據統計，截止2017年底，中國大陸境內已經建成的晶圓廠24座，佔全球總產能18%在建晶圓廠7座（不含存儲器），建成後投產預計總產能較2017年比擴大46%，佔全球總產能達到 20%左右。
從技術角度，本土企業與全球龍頭差距仍大，中芯國際在28nm節點上落後，目前大力投入14nm及以上研發；華虹在實現28nm量產以後，在華力微二廠積極佈局14nm。先進製程上，臺積電處於絕對領先地位，三星位居其次。臺積電在2012年便攻克了28nm製程，其7nm製程已於2018Q2開始風險生產，預計 2019年收入佔比將超過20%。5nm預計在2020年推出。三星宣佈將於下半年投產7nm，5nm及以下的製程也在規劃中。
格羅方德、聯電位於第二梯隊,均未有繼續研發先進製程的計劃，格羅方德將繼續依靠14nm及22nmFD-SOI產品的差異化、多樣化提升自身實力，聯電積極擴產28nm（廈門廠）來鞏固競爭地位。我國的中芯國際在28nm製程落後上述國際大廠，但14nm平臺將於2019Q1底開始進行風險生產，中芯國際成為除臺積電外唯一致力於10nm以下芯片開發的純晶圓代工廠商。華虹集團藉助大基金的支持，也開始進行14nm研發。
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