根据韩国媒体《BusinessKorea》的报导指出，中国一直企望发展半导体产业，但在近期受到韩国记忆体大厂三星与SK 海力士在市场垄断与持续技术精进下，加上美国对智慧财产权的严密保护，其目的将难以达成。
报导指出，2018 年10 月份，在中国NAND Flash 快闪储存器技术上领先的长江存储(YMTC) 发布了自行研发的32 层堆叠产品之后，当时就宣布将在2020 年时跳过64 层及96层堆叠的产品，直接发展128 层堆叠的产品。由于韩国的储存器龙头厂三星，早在2014 年就已经推出了32 层堆叠的NAND Flash 快闪记忆体产品，所以在过去在技术上至少有5 年的领先差距。
只是，如果依照计画，长江存储一旦真的能在2020 年推出128 层堆叠的产品，相较三星在2019 年要量产96 层堆叠的产品，并且预计在年底开发出128 层堆叠的产品，则三星在NAND Flash 快闪记忆体技术上领先长江存储就仅剩下一年的时间，其追赶的进度令人惊讶。
由于在NAND Flash 快闪储存器技术发展，从32 层堆叠到64 层堆叠，再到96 层堆叠，乃至于到目前最新的128 层堆叠技术，其每一代的技术研发大概需要一年的时间。如此，长江存储虽然号称要在2020 年推出128 层堆叠的产品，但结果是在目前半导体市场低迷，再加上三星与SK 海力士两家公司几乎垄断市场，长江存储连32 层堆叠的NAND Flash快闪储存器大量量产都有问题的状况下，更遑论要开发最新128 层堆叠技术的产品，因此中国要发展NAND Flash 快闪储存器产业就此受阻。
再谈到较NAND Flash 快闪储存器技术更为复杂的DRAM 产业时，虽然中国也一直视为重点发展产业，不过当前在这产业可说是一团混乱。原因是自2018 年开始，原本积极布局伺服器DRAM 领域的厂商福建晋华，在受到美国禁售令的影响，目前已经逐步退出市场。尽管福建晋华在2011 年就已经宣布推出32 奈米制程的DRAM 样品，只是在美国积极保护DRAM 智慧财产权，而且祭出禁售令的情况之下，福建晋华是不是能够有机会推出这个规格的产品，目前还在未定之天。
因此，在目前整体大环境并不允许中国发展半导体，尤其是储存器产业的情况下，目前中国在半导体领域只能专注于IC 设计的领域中。报导指出，截至2016 年底为止，在中国约有1,500 家无芯片厂的IC 设计公司，这些无芯片厂的IC 设计公司都需要芯片代工厂的协助，这使得多家全球性的晶圆厂看准这笔生意，积极布局。
只是，中国的无芯片厂IC 设计公司发展，近来似乎也面临了困难。例如，日前《日经亚洲评论》报导指出，疑似因美国介入的因素，使得处理器龙头英特尔（intel）日前正式结束与中国晶片厂商紫光展锐在5G 基频晶片上的合作，双方自2018 年2 月份宣布合作以来，短短一年的时间就告吹。由此例就显示，美国政府除了在储存器领域加强管控之外，在非储存器的导体产业领域也有逐渐缩紧的趋势。
而除了IC 设计公司的发展遭遇瓶颈之外，就连芯片代工产业，中国厂商也压力增加。以中国最大的芯片代工厂中芯国际来说，预计2019 年上半年才会达到14 纳米制程量产的目标。这相较其他领先的芯片代工厂来说，至少是落后了一代以上。虽然，之前有媒体点名，如果格芯(GLOBALFOUNDRIES) 有机会出售，则中芯国际是最佳的买家之一。但是，面对美国的管制趋紧情况，这也几乎成为不可能的任务，也使得中国的半导体产业发展，未来仍有许多的瓶颈与不确定性。
虽然前路困难重重，但我们不可以放弃啊，这可是国之命脉。
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