光刻機巨頭的7nm EUV有了新進步,並推進3nm研發

光刻機巨頭的7nm EUV有了新進步,並推進3nm研發

2018年國際光刻機巨頭ASML阿斯麥的EUV光刻機設備總銷量達到18臺,並計劃2019年將完成30臺的交付量。

來自供應鏈的最新消息稱,臺積電將拿下 ASML這30臺EUV 光刻機出貨量中的 18 臺。

ASML表示,EUV的“劃時代”意義不僅僅是因為它極大地簡化了工藝流程,更在於它將全面支持我們的客戶推進7納米邏輯芯片和16納米DRAM工藝製程朝更尖端的方向發展。

單位時間內的晶圓產量提升是EUV商業價值的重要指標。

2006年,ASML第一臺EUV原型需要超過21個小時才能曝光完成一片完整的晶圓,妥善率(availability)小於10%。

進入新一代EUV曝光技術,2018年ASML的NXE:3400B已在客戶端測試中,實現每小時125片晶圓的產量里程碑,更達成80%以上妥善率(availability)。

EUV系統的運行速度,已在過去十餘年間提高了2,600倍,這是質的飛躍。

ASML進一步指出,推動高量產的“幕後英雄”是EUV光源的突破性創新。

ASML科學家Alex Schafgans也曾這樣評述EUV光源技術的探索過程:“我們並沒有按照原本規劃的方案走,之前我們計劃輸出更為強力的激光射線,但取而代之的,我們探索出如何更有效地將等離子體轉換為EUV光源。”

ASML 已與卡爾蔡司公司合作開發出數值孔徑為0.33的EUV光刻機鏡頭,並積極研發下一代0.55高數值孔徑(High-NA)光學系統,為推進3納米及以下製程做努力

該光學系統與多重成像技術相比,成本將降低50%,週期時間將縮短3到6倍,並具備一流的套刻和聚焦性能。

ASML將在今年推出新一代的EUV光刻設備NXE:3400C預計每小時達到170片晶圓產量,妥善率(availability)更將超過90%。該系統計劃於2019年下半年供貨。


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