台積電:7nm EUV晶片首次流片成功 5nm明年試產|半導體行業觀察

來源:內容由 微信公眾號 半導體行業觀察 (ID:icbank) 綜合自「快科技」,謝謝。

全球一號代工廠臺積電宣佈了有關極紫外光刻(EUV)技術的兩項重磅突破,一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作,二是5nm工藝將在2019年4月開始試產。今年4月開始,臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產,蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或將會使用它製造,但仍在使用傳統的深紫外光刻(DUV)技術。

臺積電:7nm EUV芯片首次流片成功 5nm明年試產|半導體行業觀察

而接下來的第二代7nm工藝(CLNFF+/N7+),臺積電將首次應用EUV,不過僅限四個非關鍵層,以降低風險、加速投產,也藉此熟練掌握ASML的新式光刻機Twinscan NXE。

7nm EVU相比於7nm DUV的具體改進公佈得還不多,臺積電只說能將晶體管密度提升20%,同等頻率下功耗可降低6-12%。

如今在7nm EUV工藝上成功完成流片,證明了新工藝新技術的可靠和成熟,為後續量產打下了堅實基礎。

臺積電:7nm EUV芯片首次流片成功 5nm明年試產|半導體行業觀察

臺積電沒有透露這次流片成功的芯片來自哪家客戶,但是想想各家和臺積電的合作關係,其實不難猜測。

7nm之後,臺積電下一站將是5nm(CLN5FF/N5),將在多達14個層上應用EUV,首次全面普及,號稱可比初代7nm工藝晶體管密度提升80%從而將芯片面積縮小45%,還可以同功耗頻率提升15%,同頻功耗降低20%。

2019年4月,臺積電的5nm EUV工藝將開始風險性試產,量產則有望在2020年第二季度開始,正好滿足後年底各家旗艦新平臺。

臺積電5nm工藝的EDA設計工具將在今年11月提供,因此部分客戶應該已經開始基於新工藝開發芯片了。

隨著半導體工藝的急劇複雜化,不僅開發量產新工藝的成本大幅增加,開發相應芯片也越來越費錢,目前估計平均得花費1.5億美元,5nm時代可能要2-2.5億美元。

PS:Intel剛發佈的秋季桌面平臺仍然都是14nm,而拖延已久的10nm要到明年才能量產,7nm則是遙遙無期,5nm就更別提了。


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