紫光正在加快國產內存的腳步，之前他們曾表示，旗下DDR4芯片正在開發中，預計年底前完成並推向市場。
據中新網報道稱，紫光成都存儲器製造基地項目已經在昨天正式開工，而趙國偉表示，這個基地未來將在投資240億美元建設新的閃存工廠，主要生產3D NAND閃存。
按照紫光的說法，目前他們還在研發128層堆棧的256Gb核心3D NAND閃存，而今年年底將會量產32層64Gb核心的3D NAND閃存，明年會量產64層堆棧128Gb核心容量的閃存。
相比紫光來說，2019年開始中國大陸地區將有三家存儲芯片廠竣工並投入量產內存、閃存，其中進展最快的是長江存儲，其正在研發64層的3D NAND閃存，計劃在2018年年底前推出樣品。至於合肥長鑫、福建晉華基本將LPDDR4芯片量產時間定於2019年上半年。
另外，紫光之前還曾表示，在DRAM內存芯片上，該公司已具備世界主流設計水平，但是產能無法保證，產品銷量不會太大。
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