三星在較早前宣佈開發採用更高密度的DRAM芯片，打造32GB DDR4 雙列 UDIMM內存，雖然產品不太可能在短期內上市，但最新已知的是 G.Skill 及 ZADAK 將會推出相關的內存產品，日前華碩也宣佈將會打造新的DC DIMM內存標準，預計能為Intel第8代及即將推出的第9代酷睿處理器，將以往內存控制器容量限制提高。
據瞭解，華碩即將推出基於Intel Z390芯片組的主板上大力推廣新的 DC DIMM 內存標準，DC DIMM 全名 Double Capacity DIMM，由華碩獨家創建，允許使用較少內存插槽的主板來擴充更大的內存容量。
雖然DC DIMM暫時尚未取得 JEDEC認可成為行業準則，但到目前為止，G.Skill 及 Zadak 511 即將推出的內存將會第一批支持ASUS DC DIMM 標準。以 ZADAK SHIELD DC DDR4 為例，內存外形比以往的產品更高，看似是將兩組16GB內存雙排並列，組成容量雙倍的32GB容量，內存頻率為 3200MHz，時序 C14-14-14-34 @1.35V。
根據 VideoCardz 的消息指出，華碩率先加入這項內存技術的主板為ROG Maximus XI EXTREME及ROG Maximus XI GENE，華碩表示，DC DIMM 標準的實用性是突破CPU內存控制器的限制，即使只有兩個內存插槽也可安裝 64GB的內存，將以往單槽或者雙槽的 mini-ITX 主板內存容量大幅提升。
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