其實從剛剛的大規模集成電路的製造過程上我們也看到了，光刻的複雜程度要遠遠高於蝕刻，所以光刻機的複雜程度也遠遠高於蝕刻機。
而在現在這個時間節點上，ASML使用的光線已經到了極紫外光（EUV），所以可以光刻7nm以下的大規模集成電路。而受制於《瓦森納協定》，ASML不可以向中國出售先進光刻機。所以在這方面中國長期處於被封鎖的狀態。
簡單點就是，光刻機是特殊的照相機，原理也類似用來在製造芯片的硅片上印製圖型;刻蝕機顧名思義就是刻蝕，用來把光刻後的圖形真正刻到硅片上。這兩個過程一個是描圖，一個是刻
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