Flash Memory Summit作為閃存業內的重要會議之一，目前正在美國如火如荼的舉行中，而SK海力士作為閃存業內的重要一份子，自然不會少了它。
在會議的Keynote環節，SK海力士先介紹了3D NAND的兩種技術路線，CTF（電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲單元面積更小、速度更快、更耐用。
接下來，SK海力士宣佈推出4D閃存，從現場給出的技術演示來看，4D閃存的外圍電路在存儲單元下方，可以有效地減小芯片面積、縮短處理工時、降低成本。
參數方面，目前第一款4D閃存型號為V5 512Gb TLC，採用96層堆疊、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1標準）、面積13平方毫米，今年第四季度出樣。
BGA封裝的4D TLC顆粒的可以做到1Tb（128GB），模組最大2TB，將於2019年上半年出樣。SK海力士表示QLC的V5 4D芯片，將使用96層堆疊，單Die容量1Tb，將於2019年下半年出樣。
性能方面，V5 4D芯片面積相較於V4 3D減小20%、讀速提升30%、寫速提升25%。
在推仔看來，SK海力士的這個4D閃存，更多的還是一個噱頭罷了，畢竟在傳統意義上的4D更多指的還是將x、y、z所形成的空間加上時間之後形成的時空，難道說這次SK海力士所說的4D其中有一條意思就是你們現在就能用到未來性能的產品麼？
分享到:
閱讀更多 筆吧評測室 的文章
