从前段时间中美科技战以来，国产半导体领域厂商个个都卯足了劲在进行各种技术攻关，中芯国际N+1工艺流片测试成功对国内半导体领域厂商们来说是一个非常令人振奋的好消息。
中芯国际N+1工艺对比台积电14nm功耗降低57%、逻辑面积小了63%、SOC面积减少55%，但要比台积电7nm工艺差一些，比EVU的7nm工艺差很多，相当于台积电10nm，也许可以给这个节点命名为9nm，后续产量、良率上来了也是非常了不起的成就。就算做到9nm这个程度，也足够覆盖除了2000元以上的手机soc之外所有芯片了。只要能把成本做下来，设备国产化做下来，那么足以让美国的科技制裁失去意义。
有了国产9nm，只需要华为拼命的把CPU、GPU、FPGA、服务器和低端SOC的订单喂进去，把成本搞下来，那么就足以靠吃掉落后制程来实现掏空芯片霸权的根基。哪怕华为放弃麒麟，芯片的攻防战也是赢的。
中芯国际的N+2工艺将于2021年研发成功，工艺接近台积电7nm，这将FinFET工艺下DUV光刻机的生产极限。接下来更小制程如5nm，3nm就必须用到极紫外光EUV光刻机了。众所周知，由于美国阻挠荷兰ASML的EUV光刻机最终没能交付中芯国际，迫不得已中芯国际订购了DUV光刻机。而DUV光刻机属于深紫外光沉浸式，相比EUV的极紫外光落后了一代。虽说台积电已经可以做出5nm，甚至荷兰ASML已经着手开发2nm，1nm光刻机，但是目前全球芯片市场的主流依旧停留在14nm到7nm之间。
因此可以说中芯国际能不借助极紫外光EUV光刻机能做到N+2工艺这一步将成为我国半导体制造技术的极大突破，对我国的半导体制造摆脱美国掣肘奠定坚实基础。
总的来说，中国芯正在以中国速度成长，让我们团结一致攻克艰难，相信中国，相信中国芯！