新莱应材:公司在第三代半导体新材料和歌能材料领域的关系是密不可分的

同花顺(300033)金融研究中心3月30日讯,有投资者向新莱应材(300260)提问, 董秘您好,请问公司的产品或技术可以运用于第三代半导体新材料和功能材料领域吗?

公司回答表示,第3代半导体(也称为宽能隙半导体材料)是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料,例如常用的氮化镓(GaN)的制备方法有很多种,其中主要的方法有:金属有机物气相外延(MOVPE)、分子束外延(MBE)、氢化物气相外延(HVPE),方法,都可以透过我司的真空系统与气体系统的关键传输部件与控制部件来达成,由此看来我司在第三代半导体新材料和歌能材料领域的关系是密不可分的。感谢您对公司的关注,谢谢。