再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

與IBM合作的三星,或許將成為最大贏家。

就在臺積電和三星角逐3nm的白熱化階段,藍色巨人IBM再一次走在了前列。

據報道,曾擔任IBM半導體技術和研究副總裁穆列什·哈雷(MukeshKhare)帶領的團隊完成了2nm工藝技術的突破,IBM也宣佈造出全球第一顆2nm工藝的半導體芯片。

雖然IBM不直接參與晶圓代工廠之間的競爭,但它推出的技術和相關研究卻對先進製程的升級有著極大的幫助。

再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

2nm芯片,IBM打造

據瞭解,這次2nm工藝採用三層GAA(環繞柵極晶體管)技術

沒錯,這正是三星主攻3nm工藝採用的技術。

在今年2月的IEEE國際固態電路大會(ISSCC)上,三星搶在臺積電之前展示了第一款採用3nm工藝的256GB容量SRAM存儲芯片,讓行業第一次窺見GAA架構的廬山真面目。

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此外,IBM使用兩項獨特的工藝底部電介質隔離(bottom dielectric isolation)以及內層空間乾燥處理(inner space dry process),這正是IBM掌握的2nm芯片製造技術的核心。

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與當下主流的FinFET工藝相比,GAA技術重新設計了晶體管底層結構,增強了柵極控制,因此性能大大提升,

體積也更小,速度也更快。

與當前主流的7nm芯片相比,在同樣的電力消耗下,IBM 2nm芯片的性能預計提升45%,輸出相同情況下能耗降低75%。

再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

往更深入看,IBM 2nm芯片的晶體管密度為每平方毫米3.33億個晶體管(MTr/mm)

作為對比,當下最先進的臺積電5nm FinFET工藝每平方毫米約有1.73億個晶體管,2nm芯片足足多了兩倍,而三星的5nm芯片每平方毫米僅為1.27億個晶體管。

換個角度來看,IBM 2nm芯片在指甲蓋大小面積(約150平方毫米)內,容納了500億個晶體管。

IBM聲稱,2nm技術將帶來多項提升:

手機電池壽命將大幅提升;

減少數據中心的碳足跡;

大大加強筆記本電腦性能;

有助於加快自動駕駛汽車等自主車輛的物體檢測和反應時間;

另外,這項技術將使太空探索、人工智能、5G、量子計算等領域受益。

值得一提的是,這裡的2nm並不是物理上的2nm,而是等效節點“Equivalent Nodes”,是表示從5nm,3nm工藝演進而來的下一代工藝的“代號”

這次2nm工藝只是實驗室技術,離真正實現2nm芯片量產還有相當遠的距離,但這一消息依然稱得上業界的重磅炸彈。

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此外,IBM也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)芯片的廠商,在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。

儘管如今芯片市場的風頭已經被臺積電、三星、英特爾、AMD等“後起之秀”佔據,但藍色巨人IBM依然默默做著貢獻

依然強悍的芯片巨頭

由於自身業務調整以及半導體制造業務大額虧損,IBM在2014年將旗下芯片製造業務轉讓給半導體代工廠商GlobalFoundries(格芯),但IBM在半導體先進製程方面的研究卻一直沒有停止,依然在紐約奧爾巴尼市保留了一家芯片製造研發中心。

再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

在出售芯片代工業務的同年,IBM耗資30億美元的項目著手進行了一項雄心勃勃的計劃——“ 7nm and Beyond ”。

該計劃一方面在於開發可以經濟地製造7nm及以下製程的工藝,另一方面尋找新材料以支持先進製程的繼續發展。

事實證明,這個計劃中脫胎的很多成果都推動了7nm、5nm發展,這種影響力已經延續到3nm節點。

在IBM宣佈“7nm and Beyond”計劃後一年,IBM與GlobalFoundries、三星等合作伙伴,共同推出了其首款7nm測試芯片。

時隔兩年,IBM與他的盟友們再次首發業界第一個全新的5nm硅納米片晶體管(Nanosheet)芯片,為後來實現5nm工藝鋪平了道路。

儘管兩次芯片都是實驗室測試芯片,距離真正量產還有相當大的距離,但IBM在攻克製程中使用極紫外線光刻技術(EUV)進行線的前端圖形繪製的技術

,極大推進了後來EUV的商業化落地。在這之後,三星和臺積電紛紛宣佈在7nm階段導入EUV技術。

再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

同時,IBM堅信,Nanosheet(納米片)將成為FinFET芯片架構的替代品,在採用新納米片架構的方面上,三星一直是將IBM技術從實驗室帶到市場的忠實守護者。

基於當初IBM與三星之間在GAA上的合作研究,三星又重新設計了現有的GAA,使其成為多橋溝道FET(MBCFET),再後來這也成為三星與臺積電在3nm節點處進行較量的一大利器。

再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

很顯然,在臺積電3nm FINEET工藝受挫的背景下,GAA技術註定將成為半導體產業繼續向前發展的關鍵。只不過GAA的製造難度顯然是極高的。

但IBM已經弄清楚了如何使用單次曝光 EUV 來減少用於蝕刻芯片的光學掩模的數量,這也將給晶圓巨頭們在製程突破上帶來了新思路。

2nm量產仍有一段時間

在全球半導體發展的過程當中,IBM一直在其中充當著重要的角色。IBM在二十世紀六十到九十年代間接連推出了多種技術,深刻地影響了半導體產業的發展。

時至今日,雖然IBM已經放棄了半導體制造業務,但其所授予眾多晶圓代工廠的專利技術,卻極大地推動了先進製程的發展,這也使得IBM成為了先進製程升級過程中重要一員。

再次突破半導體極限,IBM搶先首次推出2nm工藝芯片

伴隨著先進工藝玩家日趨減少,5nm節點處的競爭也愈演愈烈,IBM的“7nm and Beyond”計劃的研究成果,逐漸成為三星等合作伙伴在競爭中取得優勢的一大幫手。

目前各家的爭奪點依然在3nm製程的芯片,不僅需要晶圓代工廠在工藝上的突破,想實現真正量產,還需要高通等上游設計公司、和ASML等中游設備廠商的努力


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