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GaN快充 | 科創板 | V-NAND | 刻蝕機 | 破產申請
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步子邁得太大容易摔跤，希望小米GaN快充產品緊急下架不是由於此原因，後續如何坐等小米官方回應，與非網將及時跟進；與此對應的是，中微5nm刻蝕機已用於臺積電生產線，是厚積薄發的美好註解。進入今日與非早報。
小米65W GaN快充緊急下架
圖源 | SOHU
近日，小米商城發生了一則大事件：65W GaN 充電器突然下架，範圍包括天貓、京東等幾乎所有的電子商城，目前已經無法搜索到，業內人士紛紛猜測其原因為何。
事實上，小米 65W GaN 氮化鎵充電器是前兩天下架的，由於週末的關係，小米方面並未及時給出答覆。而小米 65W GaN 氮化鎵充電器是此前雷軍在小米 10/Pro 新品發佈會上所發佈的最新充電器，也是極力推薦的具有體積小、充電快等優點的最新產品。
到目前為止官方還沒有對這一問題進行正式的解答，目前僅有的消息指向了上述兩個可能存在的問題，至於什麼時候恢復上架，目前仍未知。
上海硅產業集團著陸科創板
圖源 | 網絡
作為國內規模最大的半導體硅片製造企業之一的上海硅產業集團股份有限公司（滬硅產業），成功登陸上海證券交易所科創板。
此次科創板發行是上海硅產業集團戰略發展的重要一步，公司將以此次公開發行股票並在科創板上市為契機，進一步實現公司 300mm 半導體硅片業務能力的提升，提高公司在行業內的競爭力，增強我國企業在全球半導體硅片市場的佔有率和影響力。
三星開發160層第七代 V-NAND閃存
圖源 | 官網
據悉，三星目前在開發第七代 V-NAND 閃存，堆疊層數多達 160 層。
目前已取得了重大進展，並且已經加快了開發進程。此前，三星一直在用單堆棧技術來生產 3D 閃存，而第七代 V-NAND 將會改用雙堆棧技術，以便製作更高層數的 3D 閃存。
其實東芝與西數的 BiCS 5 閃存就是使用兩層 56 層的堆棧合在一起組成一個 112 層堆棧的芯片的。去年 SKHynix 宣佈正在研發 176 層堆棧的 4D 閃存，不過他們家的閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數高低。
中微5nm刻蝕機已用於臺積電生產線
據悉，中微半導體發佈了 2019 年財報，全年實現營業收入 19.47 億元，同比增長 18.77%；實現歸母淨利潤 1.89 億元，同比增長 107.51%。
除了光刻機，半導體設備生產中還需要各種設備，國內的中微半導體設備公司已經能夠生產高端刻蝕設備，其 5nm 刻蝕機已經批量生產，用於臺積電的 5nm 生產線中。
中微公司的電感性等離子刻蝕設備已在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產。根據客戶的技術發展需求，正在進行下一代產品的技術研發，以滿足 7 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 芯片和 128 層以上的 3D NAND 芯片等產品的 ICP 刻蝕需求，並進行高產出的 ICP 刻蝕設備的研發。
美國AI芯片明星創企申請破產保護
圖源 | WCCFtech
據外媒Semiwiki報道，美國AI芯片公司Wave Computing接近倒閉，已申請破產保護。
該公司一位負責人接受採訪表示，Wave Computing並非倒閉，只是申請破產保護，進行資產重組，也並未解僱所有員工，但中國區已全部關閉。Wave Computing原本有近40多中國區員工，目前只剩幾位，影響不大。
2018年6月，Wave Computing收購老牌半導體IP公司MIPS，計劃通過將它的數據流架構與它的MIPS嵌入式RISC多線程CPU核心和IP相結合，為下一代AI提供了動力。
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