三极管饱和

三极管饱和

内容简介

1、三极管饱和

2、饱和时基极电流

3、三极管注意性能

一、三极管饱和
1、根据Ib*β=V/R算出的Ib值作为判断临界饱和，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和，倍数越大，饱和程度就越深；
2、集电极电阻 越大越容易饱和;
3、饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，Ic不受Ib控制

二、饱和时基极电流

1、该值应不固定，和集电极负载、β值有关

2、估算假定负载电阻是1K，VCC是5V，饱和时电阻通过电流最大也就是5mA，用除以该管子的β值(假定β=100)5/100=0.05mA=50μA，那么基极电流大于50μA即可饱和;

3、对于硅管三极管,C-E极R(C-E间总电阻),Vce=VCC-Ib*hFE*R，随着Ib↑-Vce↓,

当Vce<0.6V>

4、注意：在Ic↑-hFE↓,因此应让三极管进入深度饱和Ib>>Ic(max)/hFE，Ic(max)是指在假定e、c极短路的情况下的Ic极限，这会牺牲关断速度;
5、一般判断饱和的直接依据还是放大倍数，有的管子将Ic/Ib<10定义为饱和，Ic/Ib<1应属于深饱和;

6、Ic = (V-Vce)/R在晶体管的输出特性曲线图上为静态负载线，各个基极电流Ib值的曲线与负载线的交点就是该晶体管在不同基极电流下工作点;

7、曲线绿色段是线性放大区，Ic随Ib的增大几乎成线性地快速上升，红色段就几乎变成水平了，这就是饱和;

8、在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件，图中可见该值约为0.25mA;
9、根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和;

三、三极管注意性能

1、耐压
2、负载电流
3、速度

4、B极控制电流
5、功率
6、漏电流问题(能否完全截止)