隨著中國經濟的迅猛發展和國力的不斷提升，一些制約中國產業升級的行業和技術開始突顯。科技日報曾經統計了35項“卡脖子”的關鍵技術，其中光刻機、芯片和操作系統名列前三。其實光刻機和芯片同屬半導體領域，光刻機是製造芯片的關鍵設備。
眾所周知，“缺芯少屏”一直是中國科技行業的兩大心病。經過多年的潛心發展，以京東方、華星光電為代表的液晶面板企業打破了日韓等面板巨頭的壟斷，在液晶面板屏幕佔據一席之地。然而自主芯片卻一直沒有得到解決，2018年的中興事件和2019年華為被打壓，讓國人意識到國內在芯片領域與國外先進水平的巨大差距。沒有核心技術就沒有話語權，就要看別人的臉色。
其實國家層面早就注意到了半導體產業所面臨的問題，早在2014年就出臺了《國家集成電路產業發展推進綱要》，為中國半導體產業的發展指明瞭方向和目標。在此背景下，一大批半導體項目和投資規劃紛紛立項，其中就包括了被稱為“芯片國家隊”的紫光集團。
近日紫光集團旗下的長江存儲突然宣佈，其自主研發的128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功，這是全球首款128層QLC閃存，並且已經在多家控制器廠商SSD等終端產品上通過驗證。長江存儲的這一成果具有里程碑式的意義，標誌著中國半導體產業打破了美日韓在閃存市場的壟斷和封鎖。“中國芯”終於成了！
長江存儲成立於2016年，總部位於湖北武漢，是一家專注於3D NAND閃存設計製造一體化的IDM集成電路企業，由紫光集團、國家集成電路產業投資基金、湖北省科投等共同投資。目前長江存儲在全球共有5000多名員工，其中研發工程師大約2000人。長江存儲成立後發展迅猛，2017年宣佈成功研發首款國產32層3D NAND閃存芯片。2019年5月，長江存儲又成功研發64層3D NAND閃存芯片。
然而長江存儲雖然實現了國產3D NAND閃存芯片“0”的突破，但是與三星、海力士等國外芯片巨頭還有著不小的差距，同期三星與海力士已經量產了128層3D NAND閃存。在此情況下，長江存儲毅然決定跳過96層3D NAND閃存的研發，直接研發128層3D NAND閃存。經過大半年的努力，長江存儲終於成功研發128層 3D NAND閃存。並計劃於今年年底實現量產。
長江存儲能夠取得這樣的成績來之不易，能夠幫助中國有力的打破國外技術封鎖和產品供應“卡脖子”問題。我國每年的芯片進口額高達2萬億元，比石油的進口額還要大。其中以DRAM內存和3D NAND閃存為代表的存儲芯片市場規模高達2000億美元，而我國每年在這上面的進口額則達到1230億美元。3D NAND閃存一般用於製造SSD硬盤，由三星、海力士、美光、東芝等美日韓巨頭長期操縱。
為了打破國外巨頭的封鎖，長江存儲累計投資240億美元力爭實現芯片自主化。長江存儲在3D NAND閃存上的成功，像中興、華為等國內通信龍頭企業都是直接受益者。再也不用擔心在3D NAND閃存上被外國廠商“卡脖子”，幫助華為打破老美的瘋狂打壓。
除了長江存儲以外，目前還有合肥長鑫在DRAM內存上發力，力爭打破國外技術的封鎖。希望國產半導體行業早已達到世界領先水平，不再被外國巨頭刁難。
